[发明专利]一种3D NAND制作方法及存储器

权利要求书

1.一种3D NAND制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠设置的层间介质层和牺牲介质层；

在待形成沟道的位置形成第一孔；

对所述牺牲介质层进行第一回刻，在所述牺牲介质层内形成第二孔，其中，所述第一孔在所述衬底上的投影位于所述第二孔在所述衬底上的投影内；

将所述第一孔和所述第二孔作为同一孔，在其内形成沟道；

在待形成栅极线的区域形成第三孔，所述第三孔暴露所述衬底；

通过所述第三孔，对所述牺牲介质层进行第二回刻，去除所述牺牲介质层。

2.根据权利要求1所述的3D NAND制作方法，其特征在于，所述将所述第一孔和所述第二孔作为同一孔，在其内形成沟道，具体包括：

在所述第一孔和所述第二孔内，依次沉积形成第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层、多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的3D NAND制作方法，其特征在于，还包括：在所述第三孔和去除所述牺牲介质层后的位置填充导电介质。

4.根据权利要求1所述的3D NAND制作方法，其特征在于，所述对所述牺牲介质层进行第一回刻，所述第一回刻的蚀刻量范围为5nm-25nm，包括端点值。

5.一种3D NAND存储器，其特征在于，采用权利要求1-4任一项所述的3D NAND制作方法制作形成，所述3D NAND存储器包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替叠加的层间介质层和导电层；

贯穿所述堆叠结构的栅极线，所述栅极线与所述衬底相接；

贯穿所述堆叠结构的沟道，所述沟道的侧壁包括与所述层间介质层同层的第一侧壁和与所述导电层同层的第二侧壁，其中，所述第二侧壁相对于所述第一侧壁靠近所述栅极线，且所述第二侧壁位于相邻的两层所述层间介质层之间。

6.根据权利要求5所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁在所述衬底上的投影之间的距离范围为5nm-25nm，包括端点值。

7.根据权利要求5所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述沟道沿所述沟道指向所述栅极线的方向依次包括：

多晶硅层、第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层。

8.根据权利要求7所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述第一氧化物和第二氧化物均为氧化硅材质，所述氮化物层为氮化硅材质。

9.根据权利要求5所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述层间介质层为氧化硅材质。

10.根据权利要求5所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述栅极线材质与所述导电层材质相同，均为钨。