[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201911087371.7 申请日: 2019-11-08
公开(公告)号: CN111211107A 公开(公告)日: 2020-05-29
发明(设计)人: 沈正虎;金汉;金哲奎 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/485;H01L25/16
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 何巨;刘奕晴
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:第一连接结构,具有第一表面和第二表面,并且包括第一重新分布层;第一半导体芯片,设置在所述第一表面上,并且具有电连接到所述第一重新分布层的第一连接垫;第二半导体芯片,设置在所述第一表面上的所述第一半导体芯片的周围,并且具有电连接到所述第一重新分布层的第二连接垫;互连桥,设置在所述第二表面上,并且与所述第二表面间隔开,并且通过连接构件连接到所述第一重新分布层,以将所述第一连接垫和所述第二连接垫彼此电连接;以及第二连接结构,设置在所述第二表面上以使所述互连桥嵌入,并且包括电连接到所述第一重新分布层的第二重新分布层。

本申请要求于2018年11月21日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0144383号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件。

背景技术

由于装置的高规格和高带宽存储器(HBM)的采用,中介层(interposer)市场正在增长。目前,硅是中介层的主要材料。例如,使用中介层的半导体封装件是通过将裸片表面安装在硅基中介层上并用模制材料对表面安装的裸片进行模制来制造的。

发明内容

本公开的一方面在于提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括嵌入有能够代替传统的中介层的互连桥的连接结构。尽管具有嵌入的互连桥,但是半导体封装件也可控制翘曲并且在良率和可加工性可以是优异的、成本低,并且在精细图案上没有工艺问题和良率问题。

本公开的一个提议在于提供一种半导体封装件,在半导体封装件中,第一连接结构直接设置在多个半导体芯片上,互连桥表面安装在第一连接结构上以将多个半导体芯片彼此电连接,并且第二连接结构设置在第一连接结构上以使互连桥嵌入。

根据本公开的一方面,一种半导体封装件包括:第一连接结构,具有第一表面和与所述第一表面背对的第二表面,并且包括第一重新分布层;第一半导体芯片,设置在所述第一连接结构的所述第一表面上,具有电连接到所述第一重新分布层的第一连接垫;第二半导体芯片,设置在所述第一连接结构的所述第一表面上的所述第一半导体芯片的周围,具有电连接到所述第一重新分布层的第二连接垫;互连桥,设置在所述第一连接结构的所述第二表面上,并且与所述第一连接结构的所述第二表面间隔开,并且通过连接构件连接到所述第一重新分布层,以将所述第一连接垫和所述第二连接垫彼此电连接;以及第二连接结构,设置在所述第一连接结构的所述第二表面上以使所述互连桥嵌入,包括电连接到所述第一重新分布层的第二重新分布层。

根据本公开的一方面,一种半导体封装件包括:第一半导体芯片,具有其上设置有第一连接垫的第一有效表面;第二半导体芯片,设置在所述第一半导体芯片的周围,具有其上设置有第二连接垫的第二有效表面;第一连接结构,包括设置在所述第一有效表面和所述第二有效表面上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第一重新分布层以及贯穿所述第一绝缘层并且将所述第一重新分布层分别电连接到所述第一连接垫和所述第二连接垫的第一连接过孔;互连桥,设置在所述第一连接结构上并且连接到所述第一重新分布层,以将所述第一连接垫和所述第二连接垫彼此电连接;以及第二连接结构,包括设置在所述第一连接结构上以覆盖所述第一重新分布层的至少一部分并且使所述互连桥嵌入的第二绝缘层、设置在所述第二绝缘层上的第二重新分布层以及贯穿所述第二绝缘层并且将所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此电连接的第二连接过孔。所述第一连接过孔与相应的所述第一连接垫和所述第二连接垫物理接触。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解,在附图中:

图1是示意性地示出电子装置系统的示例的框图;

图2是示出电子装置的示例的示意性透视图;

图3是示出其中3D球栅阵列(BGA)封装件安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图;

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