[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

一种存储器及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内形成有位于阵列区域上方的若干平行排列的长条状的长条状图形，且各长条状图形端部均与所述衬底外围区域上的第一掩膜层连接；在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内形成有若干第一图形，所述若干第一图形阵列排布且与所述长条状图形交叠，用于在衬底内形成分割沟槽，将所述连续有源区分割为若干分立的分立有源区；以所述第二掩膜层、第一掩膜层为掩膜，逐层刻蚀，将所述长条状图形、第一图形传递至所述衬底内，形成阵列排布的分立有源区，位于阵列区域边缘的分立有源区的一端连接至衬底的外围区域。上述方法形成的存储器可靠性提高。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

存储器包括多个阵列排列的存储单元，每个存储单元均形成于一有源区(AA)上。现有技术的存储器的形成过程中，通常需要对衬底进行刻蚀，以形成阵列排列的有源区。

随着存储器存储容量增大，存储密度增大，有源区的线宽逐渐缩小。在衬底表面形成多个阵列排列的掩膜图形作为有源区的掩膜时，需要采用双重图形化工艺(SADP)以形成具有更小线宽图形的AA掩膜，用于形成长条状的AA；然后再在所述AA掩膜上形成STI掩膜用于将长条状的AA切断，由于形成阵列排布的有源区。

在采用SADP工艺形成存储器阵列区域的有源区时，由于AA掩膜的尺寸很小，形成的有源区尺寸很小，在有源区阵列的边缘会存在容易产生倒塌、受到应力等问题，影响产品的良率。

如何改善存储器有源区阵列的边缘问题，是目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种存储器及其形成方法，能够改善存储器有源区阵列的边缘问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括阵列区域和包围所述阵列区域的外围区域；在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内形成有位于阵列区域上方的若干平行排列的长条状的长条状图形，且各长条状图形端部均与所述衬底外围区域上的第一掩膜层连接，用于在衬底的阵列区域内形成若干平行排列的长条状的连续有源区且所述连续有源区的端部均连接至衬底的外围区域；在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内形成有若干第一图形，所述若干第一图形阵列排布且与所述长条状图形交叠，用于在衬底内形成分割沟槽，将所述连续有源区分割为若干分立有源区；以所述第二掩膜层、第一掩膜层为掩膜，逐层刻蚀，将所述长条状图形、第一图形传递至所述衬底内，形成阵列排布的分立有源区，位于所述阵列区域内边缘的分立有源区的一端连接至衬底的外围区域。

可选的，所述长条状图形的形成方法包括：在未图形化的第一掩膜层上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层内形成有若干分立且平行排列的长条状的初始长条状图形；在所述第三掩膜层上形成第四掩膜层，所述第四掩膜层覆盖所述第三掩膜层的外围区域，并覆盖所述初始长条状图形的端部；以所述第四掩膜层和第三掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层，在第一掩膜层内形成长条状图形，所述长条状图形的端部连接至所述第一掩膜层的外围区域；去除所述第三掩膜层和所述第四掩膜层。

可选的，所述第二掩膜层内还形成有位于衬底的外围区域上，包围所述长条状图形的第二图形，所述第二图形用于在衬底的外围区域内形成包围所述阵列区域的外围沟槽。

可选的，所述第二图形与最边缘的所述第一图形之间具有一定间距。

可选的，所述外围沟槽朝向阵列区域一侧的侧壁为曲面。

可选的，还包括：在所述分割沟槽与外围沟槽内填充绝缘材料，形成浅沟槽隔离结构。

可选的，所述第四掩膜层的覆盖所述初始长条状图形的端部的部分具有平直的边缘。