[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的初始鳍部，所述初始鳍部包括初始底鳍部和位于初始底鳍部上的顶鳍部；

在所述顶鳍部的侧壁形成保护层；

形成所述保护层之后，对所述初始底鳍部的侧壁材料进行氧化处理，在所述初始底鳍部的侧壁形成氧化层，且剩余的所述初始底鳍部作为底鳍部，所述底鳍部和顶鳍部作为鳍部；

进行所述氧化处理之后，去除所述氧化层和所述保护层；

去除所述氧化层和所述保护层后，在所述鳍部侧部的所述衬底上形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于所述底鳍部的顶部表面；

在所述隔离层上形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述基底的步骤中，所述初始鳍部包括第一鳍部区和位于第一鳍部区上的第二鳍部区，所述第二鳍部区在初始鳍部宽度方向的两侧的侧壁与所述衬底表面法线之间的夹角小于所述第一鳍部区在初始鳍部宽度方向的两侧的侧壁与所述衬底表面法线之间的夹角；

所述顶鳍部为部分高度的所述第二鳍部区，或者所述顶鳍部为全部高度的第二鳍部区，或者所述顶鳍部包括所述第二鳍部区和部分高度的所述第一鳍部区。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部区在初始鳍部宽度方向的两侧的侧壁与所述衬底表面法线之间的夹角为5°至10°；

所述第二鳍部区在初始鳍部宽度方向的两侧的侧壁与所述衬底表面法线之间的夹角为1°至5°。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的工艺包括快速热氧化工艺。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的步骤中，采用的反应气体包括氧气和氟气。

6.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始底鳍部的侧壁材料进行氧化处理的步骤中，所述氧化层的厚度为1纳米至5纳米。

7.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述氧化层之后，去除所述保护层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺去除所述氧化层；

所述各向同性刻蚀工艺包括湿法刻蚀工艺或Certas刻蚀工艺；

采用Certas刻蚀工艺去除所述保护层；

采用Certas刻蚀工艺去除所述保护层的过程中，采用氟化氢气体去除所述保护层。

9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述衬底表面法线的方向，所述保护层的底面至所述第一鳍部区与第二鳍部区的交界处的距离为负5纳米至正5纳米。

10.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为2纳米至20纳米。

11.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：

在所述初始鳍部侧部所述衬底上形成填充层，所述填充层覆盖所述初始底鳍部的侧壁；

在所述填充层表面以及高于所述填充层的所述顶鳍部上保形覆盖保护材料层；

去除所述顶鳍部顶部以及位于所述填充层表面的所述保护材料层，位于所述顶鳍部侧壁剩余的所述保护材料层作为所述保护层；

所述半导体结构的形成方法包括：形成所述保护层后，去除所述填充层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺所述保护材料层；

形成所述保护材料层的过程中，腔室温度为100摄氏度至300摄氏度。