[发明专利]使用溶解-沉淀制备高离子导电硫化物基固体电解质的方法及其所用的组合物

权利要求书

1.一种用于制备硫化物基固体电解质的组合物，所述组合物包含：

复合溶剂，包含含有氰基的第一溶剂和具有小于4的极性指数的第二溶剂；和

包含硫化锂和五硫化二磷的原料。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述第一溶剂是乙腈。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述第二溶剂选自由异丙醇、2-丁醇及它们的组合组成的组。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述复合溶剂包含大于或等于99.975wt％且小于100wt％的第一溶剂以及大于0wt％且小于或等于0.025wt％的第二溶剂。

5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述原料还包含卤化锂。

6.根据权利要求5所述的组合物，其中所述原料包含50mol％至62.5mol％的硫化锂、12.5mol％至20mol％的五硫化二磷和25mol％至37.5mol％的卤化锂。

7.一种制备硫化物基固体电解质的方法，所述方法包括：

制备复合溶剂，所述复合溶剂包含含有氰基的第一溶剂和具有小于4的极性指数的第二溶剂；

将包含硫化锂和五硫化二磷的原料引入到所述复合溶剂中以形成混合物；以及

搅拌所述混合物以获得硫化物沉淀。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括去除所述复合溶剂。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在去除所述复合溶剂之后，热处理所述硫化物沉淀以使所述硫化物沉淀结晶。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一溶剂是乙腈。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二溶剂选自由异丙醇、2-丁醇及它们的组合组成的组。

12.根据权利要求7所述的方法，其中所述复合溶剂包含大于或等于99.975wt％且小于100wt％的第一溶剂和大于0wt％且小于或等于0.025wt％或以下的第二溶剂。

13.根据权利要求7所述的方法，其中所述原料还包含卤化锂。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述原料包含50mol％至62.5mol％的硫化锂、12.5mol％至20mol％的五硫化二磷和25mol％至37.5mol％的卤化锂。

15.根据权利要求7所述的方法，其中所述搅拌在30℃至80℃的温度下进行。

16.根据权利要求7所述的方法，其中所述搅拌包括在100rpm至150rpm和5分钟至10分钟的条件下进行的第一搅拌以及在250rpm至300rpm和18小时至48小时的条件下进行的第二搅拌。

17.根据权利要求16所述的方法，其中连续进行所述第一搅拌和所述第二搅拌。

18.根据权利要求7所述的方法，其中在30℃至80℃和1小时至24小时的条件下通过真空干燥除去所述复合溶剂。

19.根据权利要求7所述的方法，其中通过在300℃至550℃和1小时至48小时的条件下进行的热处理来结晶所述硫化物沉淀。

20.根据权利要求9所述的方法，其中所述硫化物基固体电解质具有硫银锗矿型结晶结构。