[发明专利]半导体封装

说明书

一种半导体封装包括：重分配基底，具有彼此相对的第一表面与第二表面，且包括绝缘构件、多个重分配层及重分配通孔，所述多个重分配层在所述绝缘构件中位于不同的水平层级上，所述重分配通孔具有在第一方向上从所述第二表面朝所述第一表面变窄的形状；多个球下金属(UBM)层，各自包括球下金属焊盘及球下金属通孔，所述球下金属焊盘位于所述重分配基底的所述第一表面上，所述球下金属通孔具有在与所述第一方向相反的第二方向上变窄的形状；以及至少一个半导体芯片，位于所述重分配基底的所述第二表面上，且具有多个接触焊盘，所述多个接触焊盘电连接到所述多个重分配层中与所述第二表面相邻的重分配层。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2018年12月18日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2018-0164403号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文以引用方式并入本申请。

技术领域

本发明概念涉及一种半导体封装。更具体来说，本发明概念涉及一种包括具有锥形形状的通孔的半导体封装。

背景技术

半导体封装可为当以适合用于电子产品中的形式实施半导体芯片(例如集成电路)时的结果。随着近年来电子产业的发展，已经针对减小大小、降低重量以及降低制造成本以各种方式对半导体封装进行了开发。

可提供一种晶片级封装(wafer level packaging，WLP)工艺作为制造半导体封装的方法。随着半导体芯片变得具有更高的集成度，半导体芯片的大小正在逐渐减小。然而，随着半导体芯片变得更小，变得难以附装所需数目的焊球，且焊球的处置及测试变得困难。

另外，可能存在的问题在于要安装的板的数目取决于半导体芯片的大小。为解决此问题，可使用包含重分配层(redistribution layer，RDL)技术的扇出面板级封装。

发明内容

本发明概念的态样可为通过减小在具有重分配层的重分配基底中造成的波动来提供一种可靠性高的半导体封装。

根据某些示例性实施例，本公开涉及一种半导体封装，所述半导体封装包括：重分配基底，具有被设置成彼此相对的第一表面与第二表面，且包括绝缘构件、多个重分配层及重分配通孔，所述多个重分配层在所述绝缘构件中设置在不同的水平层级上，所述重分配通孔对设置在邻近的水平层级上的所述重分配层进行连接且具有在第一方向上从所述第二表面朝所述第一表面变窄的形状；多个球下金属(under bump metallurgy，UBM)层，所述多个球下金属层中的每一者包括球下金属焊盘及球下金属通孔，所述球下金属焊盘设置在所述重分配基底的所述第一表面上，所述球下金属通孔连接到所述多个重分配层中与所述第一表面相邻的重分配层且连接到所述球下金属焊盘，并且所述球下金属通孔具有在与所述第一方向相反的第二方向上变窄的形状；以及至少一个半导体芯片，设置在所述重分配基底的所述第二表面上，且具有多个接触焊盘，所述多个接触焊盘电连接到所述多个重分配层中与所述第二表面相邻的重分配层。

根据某些示例性实施例，本公开涉及一种半导体封装，所述半导体封装包括：重分配基底，具有被设置成彼此相对的第一表面与第二表面，且包括多个绝缘层及设置在所述多个绝缘层之间的多个重分配层，其中所述多个重分配层包括与所述第一表面相邻的第一重分配层以及设置在所述第一重分配层与所述第二表面之间的至少一个第二重分配层，每一第二重分配层具有重分配通孔，所述重分配通孔连接到所述第一重分配层或所述至少一个第二重分配层中的邻近的第二重分配层；多个球下金属(UBM)层，设置在所述重分配基底的所述第一表面上，所述球下金属层中的每一者具有连接到所述第一重分配层的球下金属通孔；至少一个半导体芯片，设置在所述重分配基底的所述第二表面上，且具有接触焊盘，所述接触焊盘电连接到所述至少一个第二重分配层；以及模制部分，设置在所述重分配基底的所述第二表面上且覆盖所述至少一个半导体芯片，其中所述重分配通孔具有在第一方向上从所述第二表面朝所述第一表面变窄的形状，且所述球下金属通孔具有在与所述第一方向相反的第二方向上变窄的形状。