[发明专利]氧化镓场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并在所述n型掺杂氧化镓沟道层上沉积源电极和漏电极，其中，所述n型掺杂氧化镓沟道层的厚度为10nm至1000nm；

在所述n型掺杂氧化镓沟道层上未被所述源电极和所述漏电极覆盖的位置刻蚀一斜面，获得样品；

其中，在所述n型掺杂氧化镓沟道层上未被所述源电极和所述漏电极覆盖的位置刻蚀一斜面，获得样品，包括：

在沉积了所述源电极和所述漏电极的样品表面制备光刻图形，所述光刻图形中显影区域为与所述源电极对应的光刻胶相邻的区域；对所述光刻图形中显影区域的光刻胶进行烘烤和回流处理，得到一斜面；以光刻胶为掩膜在所述光刻胶的斜面位置处对所述n型掺杂氧化镓沟道层采用干法刻蚀一斜面，获得样品；

所述n型掺杂氧化镓沟道层上刻蚀的斜面与水平面的角度为大于0°小于60°；

所述n型掺杂氧化镓沟道层上刻蚀的深度小于所述n型掺杂氧化镓沟道层的厚度；

在所述样品上未被所述源电极和所述漏电极覆盖的表面上生长介质层；

在所述介质层的斜面上制备栅电极；

其中，所述栅电极的长度为大于或等于50nm且小于或等于10μm，所述栅电极的厚度为大于或等于10nm。

2.如权利要求1所述的氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，包括：

在衬底上生成未掺杂的氧化镓层；

在所述未掺杂的氧化镓层上外延n型掺杂氧化镓沟道层。

3.如权利要求2所述的氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述n型掺杂氧化镓沟道层中的掺杂金属为硅、锡或者锗，掺杂浓度为1.0×10¹⁵cm^-3至1.0×10²⁰cm^-3。

4.如权利要求1或2所述的氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述衬底包括高阻氧化镓衬底、半绝缘碳化硅衬底、氧化镁衬底或者蓝宝石衬底中任一种。

5.如权利要求1所述的氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述n型掺杂氧化镓沟道层上沉积源电极和漏电极，包括：

在所述n型掺杂氧化镓沟道层上的两端通过电子束蒸发沉积源电极和漏电极。

6.如权利要求1所述的氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述介质层采用的介质为氧化铝或氧化铪；

所述介质层的厚度为10nm至100nm。

7.如权利要求1所述的氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述介质层的斜面上制备栅电极，包括：

采用电子束蒸发的方法在所述介质层的斜面上制备栅电极。

8.一种氧化镓场效应晶体管，其特征在于，包括采用上述权利要求1至7中任一项氧化镓场效应晶体管的制备方法制备得到的氧化镓场效应晶体管。