[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及存储介质

权利要求书

1.一种基板处理方法，

包括通过磷酸处理液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻的蚀刻工序，

在所述蚀刻工序中，在从开始时间点起到经过第一时间间隔为止的期间，使所述磷酸处理液中的硅浓度为蚀刻所述氧化硅膜的第一硅浓度。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述蚀刻工序中，从经过了所述第一时间间隔的时间点起，使所述磷酸处理液中的硅浓度为比所述第一硅浓度高的第二硅浓度。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述蚀刻工序中，从所述第一时间间隔结束后并进一步经过了第二时间间隔的时间点起，使所述磷酸处理液中的硅浓度为比所述第二硅浓度高的第三硅浓度。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第三硅浓度为不蚀刻所述氧化硅膜的浓度。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述蚀刻工序中，从经过了所述第一时间间隔的时间点起，使所述磷酸处理液的温度为比直到经过所述第一时间间隔为止的第一温度高的第二温度。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述蚀刻工序中，从所述第一时间间隔结束后并进一步经过了第二时间间隔的时间点起，使所述磷酸处理液的温度为比所述第二温度高的第三温度。

7.一种基板处理装置，具备：

基板处理槽，其通过将形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸渍在磷酸处理液中来进行蚀刻处理；以及

控制部，其控制所述基板处理槽，

其中，在从开始将所述基板浸渍在所述基板处理槽中的时间点起到经过第一时间间隔为止的期间，所述控制部将所述磷酸处理液中的硅浓度控制在蚀刻所述氧化硅膜的第一硅浓度。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

还具备进行所述蚀刻处理的其它基板处理槽；以及

搬送部，其在所述基板处理槽与所述其它基板处理槽之间搬送所述基板，

所述控制部将所述其它基板处理槽中贮存的所述磷酸处理液中的硅浓度控制在比所述第一硅浓度高的第二硅浓度，

将在所述基板处理槽中浸渍至经过所述第一时间间隔为止的所述基板向所述其它基板处理槽搬送并浸渍在所述其它基板处理槽中。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

所述其它基板处理槽与所述基板处理槽相比设置的数量多。

10.一种计算机可读取的存储介质，存储有使计算机执行根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理方法的程序。