[发明专利]一种半导体激光器的制备方法在审
| 申请号： | 201911090010.8 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110880676A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 杨晓杰;杨国文;李靖;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张琳琳 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 制备 方法 | ||
1.一种半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括：
提供叠层半导体激光器的外延结构；其中，所述外延结构包括含铝外延层；
对所述外延结构进行干法刻蚀，以形成侧壁陡直且光滑的条状结构；
对所述条状结构进行湿法氧化，在所述含铝外延层两侧形成氧化介质层；其中，所述氧化介质层作为所述叠层半导体激光器的横向电流限制层和横向波导层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所有所述外延结构中，所述含铝外延层中的所述横向电流限制层和横向波导层一致。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述条状结构进行湿法氧化，在所述含铝外延层两侧形成氧化介质层包括：
将所述条状结构置入湿法氧化炉中，并将所述湿法氧化炉的温度升高至第一预设温度；
向所述湿法氧化炉中通入含水蒸气气体，使其与所述条状结构中的所述含铝外延层反应，形成氧化介质层即所述横向电流限制层和横向波导层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度为400℃至500℃。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述向所述湿法氧化炉中通入含水蒸气气体，使其与所述条状结构中的所述含铝外延层反应，形成氧化介质层，即所述横向电流限制层和横向波导层包括：
将第二预设温度的去离子水与载气鼓泡后形成所述含水蒸气气体；
将所述含水蒸气气体通入湿法氧化炉中，使其与所述条状结构中的所述含铝外延层反应，形成氧化介质层，即所述横向电流限制层和横向波导层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述载气为惰性气体。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二预设温度为80℃至95℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含铝外延层中的铝组分高于80％。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
对氧化后的所述条状结构进行横向解理形成半导体激光器巴排；
对所述巴排的出光面镀减反膜并对所述巴排远离所述出光面的表面镀高反射膜，形成光学谐振腔。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延结构还包括：至少2个量子阱有源区、至少2对波导层、至少2对限制层和至少1个隧道结。
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