[发明专利]闪存器件及其制作方法

说明书

本发明提供了一种闪存器件及其制作方法，在浮栅材料层上形成氧化层，平坦化所述氧化层与所述浮栅材料层之后，所述存储区内剩余的浮栅材料层形成浮栅且外围区保留有部分厚度的所述浮栅材料层，以所述浮栅和所述外围区保留的部分厚度的浮栅材料层为掩膜刻蚀所述浮栅之间的隔离结构，能够节省图形化工艺，避免了由于光刻胶图形化造成的缺陷，并且降低了生产成本，同时提高了浮栅的均一性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种闪存器件及其制作方法。

背景技术

一般而言，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器件(nonvolatile memory)，易失性存储器在电源中断时易于丢失数据，而非易失性存储器件在电源关闭后仍可及时保存存储器内部信息，而且非易失性存储器件具有成本低、密度大等特点，使得非易失性存储器件广泛应用于各个领域。非易失性存储器件包含有与非(NAND)及或非(NOR)型闪存(Flash Memory)类型，其中与非型闪存存储容量较大，但读写速度较慢，而或非型闪存则速度较快。

而Nor Flash工艺在尺寸不断减小的过程中，对于浮栅的均一度要求也越来越高，同时对于ONO(氧化硅-氮化硅-氧化硅)填充之前存储区隔离氧化层去除后缺陷的要求也越来越高。

对于前者往往通过增加浮栅回刻或者添加浮栅平坦化阻挡氧化硅来实现。后者则形成了湿法加干法配以图形化的固定模式，特殊的还会为每一次刻蚀专门配以图形化来避免光刻胶在湿法刻蚀中迁移带来的缺陷，由此增加了生产成本。

因此，为了解决上述技术问题，有必要提出一种新的闪存器件及其制作方法。

发明内容

基于以上所述的问题，本发明的目的在于提供一种闪存器件及其制作方法，节省了图形化工艺，避免了缺陷的产生，降低了生产成本。

为实现上述目的，本发明提供一种闪存器件的制作方法，包括：

提供一衬底，所述衬底包含存储区与外围区，所述衬底内形成有多个隔离结构，且所述隔离结构的上表面高于所述衬底的上表面；

在所述隔离结构与所述衬底上形成浮栅材料层，在所述浮栅材料层上形成氧化层；

平坦化所述氧化层与所述浮栅材料层，至暴露出所述存储区内的所述隔离结构的上表面，所述存储区内剩余的浮栅材料层形成浮栅且所述外围区保留有部分厚度的浮栅材料层；

以所述浮栅和所述外围区保留的部分厚度的浮栅材料层为掩膜，刻蚀所述浮栅之间的所述隔离结构；以及，

去除所述外围区保留的部分厚度的浮栅材料层。

可选的，在所述闪存器件的制作方法中，所述氧化层的厚度介于60nm～80nm之间。

可选的，在所述闪存器件的制作方法中，平坦化所述氧化层与所述浮栅材料层的步骤包括：

采用第一工艺平坦化所述氧化层，至暴露出所述存储区内的所述浮栅材料层，所述外围区剩余部分厚度的所述氧化层；

采用第二工艺平坦化所述浮栅材料层，至暴露出所述存储区内的所述隔离结构的上表面,所述外围区保留有部分厚度的所述浮栅材料层。

可选的，在所述闪存器件的制作方法中，所述氧化层的材质包含氧化硅，所述浮栅材料层的材质包含多晶硅。

可选的，在所述闪存器件的制作方法中，采用第一工艺平坦化所述氧化层的方法包括：使用氧化硅研磨剂研磨所述氧化层。

可选的，在所述闪存器件的制作方法中，采用第一工艺平坦化所述氧化层之后，所述外围区内剩余的所述氧化层的厚度介于5nm～10nm之间。