[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201911090445.2 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN110828517A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 张盎然;王灿;张粲;玄明花;岳晗;赵蛟;丛宁;杨明;陈小川 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本公开一些实施例公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,用于提高显示装置的显示亮度,从而提升显示装置的显示效果。所述显示基板,包括显示层、以及设置于所述显示层的出光面上的多个微透镜,所述多个微透镜中每个微透镜的光入射面和光出射面分别为凸面。其中,所述显示层包括至少一层薄膜,所述至少一层薄膜中与所述微透镜接触的薄膜的折射率小于所述微透镜的折射率。本公开一些实施例提供的显示基板及其制作方法、显示装置用于微显示。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
微显示装置中的像素尺寸通常在微米级或者亚微米级。微显示装置的显示图像需要经过其内对应光学器件的放大,才能投影到人眼中完成显示。
目前,微显示装置能够应用于液晶显示(Liquid Crystal Display,简称LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示或微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,简称MEMS)显示等技术领域。
然而,微显示装置中的显示光信号在经过对应光学器件的传播之后,容易因光损而出现亮度较低的问题,从而很难满足用户在户外使用时的需求。
发明内容
本公开一些实施例的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,用于提高显示装置的显示亮度,以满足显示装置在户外显示下的亮度需求,从而提升显示装置的显示效果。
为达到上述目的,本公开一些实施例提供了如下技术方案:
第一方面,提供了一种显示基板,包括显示层、以及设置于显示层的出光面上的多个微透镜。所述多个微透镜中每个微透镜的光入射面和光出射面分别为凸面。所述显示层包括至少一层薄膜,所述至少一层薄膜中与微透镜接触的薄膜的折射率小于微透镜的折射率。
在本公开一些实施例中,显示层的出光面上设有多个微透镜,且每个微透镜的光入射面和光出射面分别为凸面。这样当显示层的显示光信号入射至对应的微透镜中时,由于显示层中与微透镜接触的薄膜的折射率小于该微透镜的折射率,且每个微透镜的光入射面为凸面,因此,显示光信号在入射至微透镜的光入射面时会发生折射,且具有较小的折射角,从而能够对显示光信号进行聚拢,以确保显示光信号具有较高的显示亮度。此外,每个微透镜的光出射面为凸面,这样当位于微透镜的光出射面一侧的介质的折射率小于该微透镜的折射率时,利用微透镜的光出射面能够进一步对显示光信号进行聚拢,从而进一步提高显示光信号的显示亮度。
由此,本公开一些实施例提供的显示基板具有较高的显示亮度,能够确保包含该显示基板的显示装置的显示亮度较高,以满足显示装置在户外显示下的亮度需求,从而有效提升显示装置的显示效果。
在一些实施例中,所述凸面包括:弧形凸面;或,由至少两个平面连接构成的弯折曲面,所述弯折曲面向所述微透镜的光心所在的一侧弯折。
在一些实施例中,微透镜的第一尺寸与微透镜的第二尺寸的比值小于或等于三分之一,其中,微透镜的第一尺寸为微透镜的沿出光面的垂直方向上的最大尺寸,微透镜的第二尺寸为微透镜的沿出光面的平行方向上的最大尺寸。
在一些实施例中,显示层具有多个子像素。每个微透镜对应一个子像素,且该子像素在出光面上的正投影位于对应的微透镜在出光面上的正投影内。
在一些实施例中,每相邻的两个子像素之间具有间隔。在沿出光面的平行方向上,微透镜的最大尺寸小于或等于对应的子像素的最大尺寸与所述间隔的二分之一之和。
在一些实施例中,显示基板还包括覆盖于所述多个微透镜的远离显示层的表面上的平坦层,平坦层的折射率小于或等于微透镜的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的