[发明专利]一种基于DC-DC结构的近二倍升压整流电路装置在审
申请号: | 201911091797.X | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN110784107A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 魏爱民;周继伟;卢荣富 | 申请(专利权)人: | 厦门亿联网络技术股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郭浩辉;麦小婵 |
地址: | 361009 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升压电路 输入端 升压输出电路 工作电路 充电 系统电压 输出端 升压整流电路 输出端接地 输出端连接 输入端连接 升压 降压电路 升压效率 信号源 | ||
1.一种基于DC-DC结构的近二倍升压整流电路装置,其特征在于,包括系统电压输入端、充电升压电路、DC-DC工作电路和升压输出电路;
所述系统电压输入端分别连接所述DC-DC工作电路的第一输入端和所述充电升压电路的第一输入端,所述DC-DC工作电路的第一输出端与所述充电升压电路的第一输出端连接,所述充电升压电路的第二输出端与所述升压输出电路的输入端连接,所述升压输出电路的输出端接地。
2.根据权利要求1所述的基于DC-DC结构的近二倍升压整流电路装置,其特征在于,所述充电升压电路包括第一二极管、第二二极管、第一电容和第二电容;
所述第一二极管的正极连接所述系统电压输入端,所述第一二极管的负极分别连接所述第二二极管的正极和所述第一电容的第一端,所述第一电容的第一端还与所述第二二极管的正极连接,所述第一电容的第二端与所述DC-DC工作电路的第一输出端连接,所述第二二极管的负极分别连接所述第二电容的第一端和所述升压输出电路的输入端,所述第二电容的第一端还与所述升压输出电路的输入端连接,所述第二电容的第二端接地。
3.根据权利要求1所述的基于DC-DC结构的近二倍升压整流电路装置,其特征在于,所述DC-DC工作电路包括DC-DC控制芯片、第三电容、第一电阻、第一电感、第二电阻、第三电阻和第四电容;
所述第三电容的第一端连接所述系统电压输入端,所述第三电容的第二端接地;所述第一电阻的第一端连接所述系统电压输入端,所述第一电阻的第二端连接所述DC-DC控制芯片的使能引脚,所述DC-DC控制芯片的输入引脚连接所述系统电压输入端,所述DC-DC控制芯片的输出引脚分别连接所述充电升压电路的第一输出端和所述第一电感的第一端,所述第一电感的第一端还与所述充电升压电路的第一输出端连接,所述第一电感的第二端分别连接所述第二电阻的第一端和所述第四电容的第一端,所述第二电阻的第二端分别连接所述DC-DC控制芯片的反馈引脚和所述第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第一端还与所述DC-DC控制芯片的反馈引脚连接,所述第三电阻的第二端接地,所述第四电容的第一端还与所述第二电阻的第一端连接,所述第四电容的第二端接地。
4.根据权利要求3所述的基于DC-DC结构的近二倍升压整流电路装置,其特征在于,所述DC-DC控制芯片还包括控制逻辑单元,以及分别与控制逻辑单元连接的第一场效应管和第二场效应管;其中,所述第一场效应管为P沟道场效应管,第二场效应管为N沟道场效应管;
所述第一场效应管的源极通过所述DC-DC控制芯片的输入引脚与所述系统电压输入端连接,所述第一场效应管的栅极与所述控制逻辑单元的第一端连接,所述第一场效应管的漏极连接所述DC-DC控制芯片的输出引脚;所述第二场效应管的栅极与所述控制逻辑单元的第二端连接,所述第二场效应管的源极接地,所述第二场效应管的漏极连接所述DC-DC控制芯片的输出引脚;所述控制逻辑单元的第三端连接所述DC-DC控制芯片的使能引脚,所述控制逻辑单元的第四端连接所述DC-DC控制芯片的反馈引脚。
5.根据权利要求3所述的基于DC-DC结构的近二倍升压整流电路装置,其特征在于,所述DC-DC控制芯片为BUCK拓扑结构的DC-DC芯片。
6.根据权利要求3所述的基于DC-DC结构的近二倍升压整流电路装置,其特征在于,所述DC-DC控制芯片的工作模式选取为CCM模式。
7.根据权利要求3所述的基于DC-DC结构的近二倍升压整流电路装置,其特征在于,所述第四电容的容量为大于或等于第一电容的容量的100倍。
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