[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201911091800.8 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN111435667A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 李允基;金正生;俞铉根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
半导体层,包括第一部分和第二部分,所述半导体层具有彼此面对的第一表面和第二表面;
器件隔离层,在所述半导体层中并限定多个像素;
第一栅格图案,在所述半导体层的第一部分上的第一表面上;以及
遮光图案,在所述半导体层的第二部分上的第一表面上,
其中所述第一栅格图案的顶表面位于第一高度处,所述遮光图案的顶表面位于第二高度处,所述第一高度低于所述第二高度,并且所述第一高度和所述第二高度相对于所述半导体层的第一表面被限定。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一栅格图案的厚度小于所述遮光图案的厚度。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:在所述第一栅格图案上的第二栅格图案,
其中所述第一栅格图案包括金属和金属氮化物中的一种或多种,并且其中所述第二栅格图案包括低折射材料。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一栅格图案在所述第二部分上延伸以覆盖所述遮光图案的侧表面并使所述遮光图案的顶表面暴露出来。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一栅格图案在所述第二部分上延伸以覆盖所述遮光图案的侧表面和顶表面。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:在所述第一栅格图案上的第二栅格图案,
其中所述第一栅格图案的侧表面与所述第二栅格图案的侧表面对齐。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一栅格图案设置在所述半导体层的第一部分中所设置的所述器件隔离层上。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述像素包括:
所述半导体层的第一部分中的多个第一像素;以及
所述半导体层的第二部分中的多个第二像素,
所述图像传感器还包括所述第一像素中的多个第一光电转换器件和所述第二像素中的多个第二光电转换器件,
其中所述第一栅格图案被配置成使所述第一光电转换器件暴露出来,并且所述遮光图案覆盖所述第二光电转换器件。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述像素包括:
所述半导体层的第一部分中的多个第一像素;以及
所述半导体层的第二部分中的多个第二像素,
所述图像传感器还包括:
所述第一像素中的各对第一光电转换器件和所述第二像素中的各对第二光电转换器件,以及
微透镜,位于所述半导体层的第一表面上并覆盖所述各对第一光电转换器件。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述半导体层还包括第三部分,
所述图像传感器还包括:在所述半导体层的第三部分上的第一表面上的焊盘,并且所述第一栅格图案通过所述遮光图案连接到所述焊盘。
11.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述器件隔离层穿透所述半导体层并接触所述半导体层的第一表面和第二表面。
12.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述器件隔离层与所述半导体层的第一表面接触并且与所述半导体层的第二表面间隔开。
13.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一栅格图案的材料与所述遮光图案的材料不同。
14.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述像素包括所述半导体层的第一部分中的第一像素和所述半导体层的第二部分中的第二像素,
所述图像传感器还包括:
所述第一像素上的多个滤色器;
所述第二部分上的滤色层;以及
所述滤色器上的多个微透镜,
其中所述微透镜使所述滤色层暴露出来。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的