[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括多个像素区，其中每一所述多个像素区包括：

基板，具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

光二极管，位于每一所述多个像素区的所述基板中；

第一钉扎层，位于所述基板的所述第一表面与所述光二极管之间的所述基板中；

第二钉扎层，位于所述第一钉扎层与所述光二极管之间的所述基板中，且电性连接至第一偏压；以及

第三钉扎层，位于所述光二极管与所述基板的所述第二表面之间的所述基板中，且电性连接至第二偏压，其中所述第二钉扎层与所述第三钉扎层分别位于所述光二极管的相对两侧，

其中通过施加所述第一偏压和/或所述第二偏压来调整所述光二极管于所述基板中的感测位置，以使所述光二极管能检测并区别不同波长的光信号。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述基板、所述第一钉扎层、所述第二钉扎层以及所述第三钉扎层具有第一导电型，所述光二极管具有第二导电型，且所述第一导电型与所述第二导电型不同。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光二极管的顶面与所述基板的所述第一表面之间具有第一距离，而当所述第一偏压小于0时，所述光二极管的所述顶面会向所述基板的所述第一表面移动，以使所述第一距离减少；

当所述第一偏压大于0时，所述光二极管的所述顶面会向所述基板的所述第二表面移动，以使所述第一距离增加。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光二极管的底面与所述基板的所述第一表面之间具有第二距离，而当所述第二偏压小于0时，所述光二极管的所述底面会向所述基板的所述第一表面移动，以使所述第二距离减少；

当所述第二偏压大于0时，所述光二极管的所述底面会向所述基板的所述第二表面移动，以使所述第二距离增加。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一钉扎层、所述第二钉扎层、所述第三钉扎层以及所述光二极管于所述基板的法线方向上重叠。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光二极管于所述基板中的深度为0.4微米至2微米。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

多个隔离结构，贯穿所述基板，以隔离出每一所述多个像素区。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

内连线结构，位于所述基板的所述第一表面上，包括至少一介电层、至少一线路层以及多个接触窗，其中所述至少一介电层与所述至少一线路层依序叠置于所述基板的所述第一表面上，且所述多个接触窗贯穿所述至少一介电层。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

钝化层，位于所述内连线结构上；以及

滤光层，位于所述钝化层上。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

多个彩色滤光层叠层，位于所述滤光层与所述钝化层之间，用以分离出波长相近且重叠的光信号，藉以鉴别两种不同的波长分布。