[发明专利]一种基于光电检测的半导体研磨装置

说明书

本发明涉及光电检测领域，具体公开了一种基于光电检测的半导体研磨装置，本发明利用光电检测机构对晶片的表面粗糙度进行检测，而且，光电检测机构能够在不需拆下晶片的情况下对晶片的粗糙度进行检测，这样可以在研磨一段时间后利用光电检测机构进行检测，如果合格后则停止研磨，如果不合格则继续研磨，不需要再重新对晶片进行定位，既可以保证晶片的研磨精度又可以提高研磨效率，避免取出检测后重新安装定位后导致误差增大的问题。本发明采用光切法进行检测，并利用烘干机构将晶片表面进行烘干处理，有效避免光电检测时研磨液水珠对光电检测的不利影响，提高检测精度与可靠度，提高半导体研磨可靠性。

技术领域

本发明涉及光电检测领域，具体是一种基于光电检测的半导体研磨装置。

背景技术

目前，对于半导体的研磨来说，一般采用CMP研磨的方式，即利用研磨垫配合研磨液进行研磨抛光。目前，一般研磨设备采用在晶片上方采用研磨垫进行高速旋转抛光，下方的晶片也采用电机进行驱动旋转，实现对晶片的研磨与抛光处理。在抛光处理时，一般是先经过抛光处理一段时间后再将晶片取出进行专门粗糙度等的检测，而这种方式由于在去除后，重新进行定位会使得晶片出现位置不平等问题，这就需要更长时间的研磨与去除，不仅影响研磨效率而且影响研磨的加工精度。

因此，本发明提供了一种基于光电检测的半导体研磨装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于光电检测的半导体研磨装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种基于光电检测的半导体研磨装置，包括研磨装置本体、研磨垫研磨机构、晶片吸附机构和光电检测机构，其中，所述研磨垫研磨机构位于所述研磨装置本体的上方，所述晶片吸附机构位于所述研磨垫研磨机构的下方，所述研磨垫研磨机构的底部设置有对晶片进行研磨的研磨垫，所述晶片吸附机构用于对晶片进行吸附固定；其特征在于，所述光电检测机构设置在所述研磨垫研磨机构的底部且位于所述研磨垫的一侧的上方，所述光电检测机构能够在不需拆下晶片的情况下对晶片的粗糙度进行检测。

进一步，作为优选，所述光电检测机构包括光切检测传感仪和防干扰处理组件，所述研磨垫研磨机构的下方一侧设置有容纳保护槽，所述容纳保护槽内设置有所述防干扰处理组件和光切检测传感仪，所述光切检测传感仪利用光切法检测晶片表面粗糙度，且所述防干扰处理组件能够对晶片的表面进行处理，以便降低晶片表面的碎屑以及研磨液对光电检测的干扰。

进一步，作为优选，还包括控制器，所述控制器能够根据所述光电检测机构的检测值来判断晶片的研磨情况，并能够根据研磨情况来调节后续的研磨压力。

进一步，作为优选，所述防干扰处理组件包括干燥气流喷嘴和位于所述干燥气流喷嘴另一侧的气流吸嘴，所述干燥气流喷嘴、气流吸嘴与气流循环过滤器连接，通过干燥气流实现对晶片表面的清洁。

进一步，作为优选，还包括研磨压力调节与缓冲机构，所述研磨压力调节与缓冲机构设置在研磨护罩与研磨垫之间，所述研磨护罩的上端连接在研磨主轴上。

进一步，作为优选，所述研磨压力调节与缓冲机构包括上强力弹簧组、下弹簧组和微调机构，其中，所述上强力弹簧组的上端连接在所述研磨护罩内侧顶部的固定套上，所述上强力弹簧组的下端连接至中间缓冲板，所述中间缓冲板上通过所述微调机构连接有所述下弹簧组，所述下弹簧组的下端连接至研磨垫定位座，所述研磨垫固定在所述研磨垫定位座的底部。

进一步，作为优选，所述微调机构包括导向柱、微调凸轮和下弹簧固定板，其中，所述导向柱上线滑动导向的设置在所述中间缓冲板上的导向孔内，所述导向柱的底部固定设置有所述下弹簧固定板，所述下弹簧组的下弹簧的上端固定在所述下弹簧固定板上，所述微调凸轮设置在所述中间缓冲板上，且所述微调凸轮的外周面的下端抵靠住所述下弹簧固定板上端，通过所述微调凸轮的凸轮面实现对所述下弹簧固定板的下压力的调节。