[发明专利]时间延迟积分的CMOS图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括相互分立并沿第一方向排布的若干光电区，每个所述光电区包括沿所述第一方向排布的第一光电区、第二光电区以及位于所述第一光电区和所述第二光电区之间的第一隔离区，所述第一隔离区内具有若干相互分立的源漏区，所述源漏区沿第二方向排布，所述第一方向和所述第二方向互相垂直；

位于每个所述光电区的基底表面的若干栅极组单元，所述若干栅极组单元沿所述第二方向排布，每个所述栅极组单元包括第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，所述第一栅极结构位于所述第一光电区的基底表面，所述第二栅极结构位于所述第二光电区的基底表面，所述第三栅极结构位于所述第一隔离区的基底表面，每个第三栅极结构在所述基底表面的投影包围一个所述源漏区在所述基底表面的投影。

2.如权利要求1所述的时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，每个所述栅极组单元还包括第四栅极结构，所述第四栅极结构位于所述第一光电区的基底表面，且每个所述第四栅极结构位于相邻两个第一栅极结构之间。

3.如权利要求1所述的时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，每个所述栅极组单元还包括第五栅极结构，所述第五栅极结构位于所述第二光电区的基底表面，且每个所述第五栅极结构位于相邻两个第二栅极结构之间。

4.如权利要求1所述的时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一光电区内具有第一离子，所述第二光电区内具有第一离子，并且所述源漏区内也具有第一离子。

5.如权利要求4所述的时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，至少1个以上所述第一栅极结构还延伸至所述第一隔离区的基底表面。

6.如权利要求4所述的时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，至少1个以上所述第二栅极结构还延伸至所述第一隔离区的基底表面。

7.如权利要求5所述的时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一隔离区还包括若干相互分立的第二掺杂区，所述第二掺杂区内具有第二离子，所述第二离子的导电类型与所述第一离子的导电类型相反，所述若干第二掺杂区沿所述第二方向排布，并且至少1个所述第一栅极结构延伸至所述第二掺杂区上。

8.如权利要求6所述的时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一隔离区还包括若干相互分立的第二掺杂区，所述第二掺杂区内具有第二离子，所述第二离子的导电类型与所述第一离子的导电类型相反，所述若干第二掺杂区沿所述第二方向排布，并且至少1个所述第二栅极结构延伸至所述第二掺杂区上。

9.如权利要求1所述的时间延迟积分的CMOS图像传感器，其特征在于，所述基底还包括位于所述光电区之间的第二隔离区，所述第二隔离区内具有隔离结构。

10.一种如权利要求1至9任一所述的时间延迟积分的CMOS图像传感器的形成方法。