[发明专利]半导体装置与存储器单元在审
| 申请号： | 201911095958.2 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112670406A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储器 单元 | ||
1.一种半导体装置，包含：
一第一电极；
一第二电极；
一铟掺杂硫基选择层设置于该第一电极与该第二电极之间，其中该铟掺杂硫基选择层的铟含量为约2at.％至约10at.％。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该铟掺杂硫基选择层为铟掺杂的砷锗硒层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中该铟掺杂硫基选择层的砷含量为约25at.％至约38at.％，锗含量为约8at.％至约20at.％，硒含量为约30at.％至约60at.％。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该铟掺杂硫基选择层的厚度为约15纳米至约45纳米。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，更包含一刻蚀终止层，设置于该第一电极与该铟掺杂硫基选择层之间。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中该刻蚀终止层包含碳或是硅掺杂碳。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，更包含一刻蚀终止层，设置于该第二电极与该铟掺杂硫基选择层之间。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中该刻蚀终止层包含碳或是硅掺杂碳。
9.一种存储器单元，包含：
一存取装置，包含一第一电极、一第二电极，以及设置于该第一电极与该第二电极之间的一铟掺杂硫基选择层，其中该铟掺杂硫基选择层的铟含量为约2at.％至约10at.％；以及
一相变材料，设置于该存取装置上。
10.根据权利要求9所述的存储器单元，其中该相变材料电性连接该第二电极。
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