[发明专利]垂直共振腔面射型激光装置

说明书

一种垂直共振腔面射型激光装置包含多个激光发光单元位于N型金属材。每一激光发光单元包含N型及P型接触层、N型及P型分布式布拉格反射镜、主动发光层、电流限制层、绝缘侧墙、P型金属材以及绝缘块。N型分布式布拉格反射镜接触N型接触层。P型分布式布拉格反射镜位于N型分布式布拉格反射镜上。绝缘侧墙环绕并接触上述这些层的所有侧边。P型金属材接触P型接触层且具有多个通孔。绝缘块连接于这些激光发光单元的绝缘侧墙，且位于P型金属材与N型金属材之间。前述结构的设计利于激光发光单元运作时散热效率的提升。

技术领域

本发明是关于一种垂直共振腔面射型激光装置。

背景技术

垂直共振腔面射型激光装置在制作的过程中，比边射型激光装置多了许多优点。举例而言，垂直共振腔面射型激光可以在制造的任何过程中，测试其品质并且作问题处理，因为垂直共振腔面射型激光的激光是垂直于反应区射出。

然而，垂直共振腔面射型激光装置是大功率发光状置，若制造为厚度较薄的发光状置，需解决散热以及可靠度的问题。

发明内容

本发明提出一种创新的垂直共振腔面射型激光装置，借以解决先前技术的问题。

于本发明的一实施例中，一种垂直共振腔面射型激光装置包含多个激光发光单元位于N型金属材。每一激光发光单元包含N型及P型接触层、N型及P型分布式布拉格反射镜、主动发光层、电流限制层、绝缘侧墙、P型金属材以及绝缘块。N型接触层接触N型金属材。N型分布式布拉格反射镜接触N型接触层。P型分布式布拉格反射镜位于N型分布式布拉格反射镜上。主动发光层位于P型分布式布拉格反射镜与N型分布式布拉格反射镜之间。电流限制层位于主动发光层与P型分布式布拉格反射镜之间，电流限制层具有一电流限位孔。P型接触层接触于P型分布式布拉格反射镜。绝缘侧墙环绕并接触N型与P型分布式布拉格反射镜、N型与P型接触层、主动发光层以及电流限制层的所有侧边。P型金属材接触每一激光发光单元P型的接触层且具有多个通孔，每一通孔对准对应的每一激光发光单元的电流限位孔。绝缘块连接于所述多个激光发光单元的绝缘侧墙，且位于P型金属材与N型金属材之间。

于本发明的一实施例中，绝缘块位不重叠于N型接触层。

于本发明的一实施例中，P型金属材部分位于紧邻的所述多个激光发光单元的绝缘侧墙之间。

于本发明的一实施例中，P型分布式布拉格反射镜于主动发光层的投影面积实质上等于N型分布式布拉格反射镜于主动发光层的投影面积。

于本发明的一实施例中，绝缘块的厚度范围介于0.5微米到5微米之间。

于本发明的一实施例中，P型金属材的厚度范围介于3微米到15微米之间。

于本发明的一实施例中，N型金属材的厚度范围介于30微米到100微米之间。

于本发明的一实施例中，紧邻的激光发光单元的绝缘侧墙之间距离的范围介于5微米到50微米之间。

于本发明的一实施例中，绝缘侧墙的厚度范围介于0.1微米到2微米之间。

于本发明的一实施例中，P型接触层于主动发光层的投影面积实质上等于N型接触层于主动发光层的投影面积。

综上所述，本发明的垂直共振腔面射型激光装置将半导体基材移除，且使每一激光发光单元的侧壁均环绕有金属材，利于激光发光单元运作时散热效率的提升。

以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本发明的技术方案提供更进一步的解释。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1～图5绘示依照本发明一实施例的一种垂直共振腔面射型激光装置制造流程的多个步骤中的剖面图；