[发明专利]一种薄膜器件的加工方法及薄膜器件有效
申请号: | 201911096604.X | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN112786513B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 王诗男 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 器件 加工 方法 | ||
本申请提供一种薄膜器件的加工方法和薄膜器件,该方法包括:在支撑基板的第一主面上形成释放薄膜;在所述释放薄膜的上表面形成薄膜器件主体;在所述薄膜器件主体的上表面形成硬质掩膜的图形;以所述硬质掩膜的图形为保护膜,在所述薄膜器件主体的非工作区形成穿孔,所述释放薄膜的上表面从所述穿孔的底部露出;以及通过所述穿孔去除所述释放薄膜。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种薄膜器件的加工方法和薄膜器件。
背景技术
许多半导体器件以及MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)器件是薄膜器件。比如,许多可穿戴的传感器、一些需要植入到人体内部的芯片或电极,都需要很薄、甚至需要薄到很柔软。
在半导体加工过程中,这样的薄膜器件的加工常常需要特殊的制造工艺。例如,薄膜器件一般需要形成在支撑基板之上,然后从支撑基板上剥离下来。其中,剥离工艺要尽可能地简单并具有生产性,整体制造需要实现低成本。这里所说的具有生产性,主要是指剥离过程需要可控。比如,薄膜器件从支撑基板上剥离下来时,不能随意散落,漂失到剥离液或设备之中。
应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
本申请的发明人认为,现有的将薄膜器件从支撑基板上剥离的方法工艺比较复杂,成本较高。
本申请实施例提供一种薄膜器件的加工方法和薄膜器件,该方法采用简单的工艺和牺牲层材料(即,释放薄膜),使薄膜器件能够较为容易地从支撑基板上剥离下来,工艺简单且能够降低生产成本,并且,该薄膜器件能够具有较好的柔韧性。
根据本申请实施例的一个方面,提供一种薄膜器件的加工方法,所述方法包括:
在支撑基板的第一主面上形成释放薄膜;
在所述释放薄膜的上表面形成薄膜器件主体;
在所述薄膜器件主体的上表面形成硬质掩膜的图形;
以所述硬质掩膜的图形为保护膜,在所述薄膜器件主体的非工作区形成穿孔,以形成薄膜器件,所述释放薄膜的上表面从所述穿孔的底部露出;以及
通过所述穿孔去除所述释放薄膜。
根据本申请实施例的另一个方面,其中,所述释放薄膜通过液体腐蚀方法去除。
根据本申请实施例的另一个方面,其中,所述释放薄膜与所述硬质掩膜同时去除。
根据本申请实施例的另一个方面,其中,所述释放薄膜与所述硬质掩膜被相同的腐蚀液体去除。
根据本申请实施例的另一个方面,其中,所述释放薄膜与所述硬质掩膜材料相同。
根据本申请实施例的另一个方面,提供一种薄膜器件,其中,所述薄膜器件包括:
第一薄膜;
形成在第一薄膜表面的第二薄膜;以及
形成在所述第一薄膜表面的导电薄膜,所述导电薄膜具有位于所述第一薄膜和所述第二薄膜之间的第一部分,并且,所述导电薄膜还具有位于所述第一薄膜和所述第二薄膜之间的第二部分,在所述薄膜器件的非工作区,所述第一薄膜与所述第二薄膜直接密接叠加,在所述非工作区,形成有贯穿所述第一薄膜与所述第二薄膜的穿孔。
根据本申请实施例的另一个方面,其中,所述第一薄膜与所述第二薄膜由相同材料或不同材料形成。
根据本申请实施例的另一个方面,其中,所述第一薄膜与所述第二薄膜具有柔韧性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造