[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

像素隔离结构，设置在半导体衬底中，用于限定第一像素区域；

第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在所述第一像素区域中；以及

分离结构，设置在所述第一像素区域中，在所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域之间，

其中，所述像素隔离结构包括：第一像素隔离部分，在第二方向上彼此间隔开并在第一方向上纵向延伸；以及第二像素隔离部分，在所述第一方向上彼此间隔开并在所述第二方向上纵向延伸以连接到所述第一像素隔离部分，并且

其中，所述分离结构在所述第一方向和所述第二方向上与所述像素隔离结构间隔开。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素隔离结构的第一像素隔离部分和第二像素隔离部分中的每一个具有第一宽度，并且

所述分离结构具有小于所述第一宽度的第二宽度。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素隔离结构具有距所述半导体衬底的第一表面的第一深度，并且

所述分离结构具有小于所述第一深度的第二深度。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述分离结构包括：第一分离部分，设置在所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域之间并在所述第一方向上纵向延伸；以及第二分离部分，与所述第一分离部分交叉。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述分离结构的第一分离部分具有平行于所述第一方向的纵轴，

所述分离结构的第二分离部分具有平行于所述第二方向的纵轴，并且

所述第一分离部分的纵轴的长度大于所述第二分离部分的纵轴的长度。

6.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，当在平面图中观察时，所述分离结构的第二分离部分与所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域部分地重叠。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素隔离结构和所述分离结构由相同的绝缘材料形成。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述分离结构位于在所述第二方向上距所述第二像素隔离部分中的各部分不同的距离处，并且位于在所述第一方向上距所述第一像素隔离部分中的各部分不同的距离处。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，当在平面图中观察时，所述分离结构的中心相对于所述第一像素区域的中心偏移。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括设置在所述半导体衬底的第一表面上的微透镜，

其中，当在平面图中观察时，所述微透镜的中心相对于所述第一像素区域的中心偏移。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括设置在所述半导体衬底的第一表面上的微透镜，

其中，当在平面图中观察时，所述微透镜的中心和所述分离结构的中心相对于所述第一像素区域的中心偏移。

12.一种图像传感器，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

像素隔离结构，设置在所述半导体衬底中，用于限定第一像素区域和第二像素区域；

第一光电转换区域和第二光电转换区域，所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域为第二导电类型，并且设置在所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个的所述半导体衬底中；

第一分离结构，设置在所述第一像素区域中并在所述第一像素区域的第一光电转换区域与第二光电转换区域之间；以及

分离杂质区域，设置在所述第二像素区域中并在所述第二像素区域的第一光电转换区域与第二光电转换区域之间，

其中，所述分离杂质区域在第一方向上纵向延伸，以与所述第二像素区域交叉，并且

其中，所述第一分离结构在所述第一方向上纵向延伸，并与所述像素隔离结构间隔开。