[发明专利]一种纳米有序结构锶掺杂钙磷化合物膜层的制备方法

权利要求书

1.一种纳米有序结构锶掺杂磷酸八钙膜层制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）将待处理的基底预处理；所述基底为医用植入材料；所述基底预处理的具体方法为：将医用植入材料依次浸泡于丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗，在HNO₃与 HF溶液中处理并清洗干净；所述HNO₃的浓度为 8%～10%，HF的浓度为0.8% ～1.2%；

2）对基底进行阴极电化学沉积，在基底表面获得纳米有序结构锶掺杂磷酸八钙膜层；所述对基底进行阴极电化学沉积的沉积溶液为含0.01～0.14 mol/L[Ca²⁺]、0.04～0.4mol/L 磷酸根物种以及配比[Sr²⁺]/（[Sr²⁺]+[Ca²⁺]）= 0.1-20 %的[Sr²⁺]的溶液；所述沉积溶液采用Ca(NO₃)₂、NaH₂PO₄和Sr(NO₃)₂；所述沉积溶液的pH值为2～6；所述电化学沉积的电流密度为0.1～1.5mA/cm²。

2.如权利要求1所述一种纳米有序结构锶掺杂磷酸八钙膜层制备方法，其特征在于在步骤1）中，所述医用植入材料为医用植入金属。

3.如权利要求2所述一种纳米有序结构锶掺杂磷酸八钙膜层制备方法，其特征在于所述医用植入金属选自钛、钛合金、不锈钢中的一种。

4.如权利要求1所述一种纳米有序结构锶掺杂磷酸八钙膜层制备方法，其特征在于在步骤2）中，所述电化学沉积的沉积温度为25～90℃，沉积的时间为3～60min。