[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201911099398.8 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN111180607A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 森茂;滨田继太 | 申请(专利权)人: | 天马日本株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 何月华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板;以及
在所述基板上的多个第一发光元件,所述第一发光元件具有微腔结构,
其中,所述多个第一发光元件中的每一者包括:
第一发光膜;以及
夹着所述第一发光膜的第一上电极和第一下电极,
其中,所述第一发光膜的发光光谱的峰值波长在亮度曲线的斜率为负的波长范围内,
其中,在视角从0°到60°变化时由所述微腔结构引起的多重干涉光谱的峰值波长变化的波长范围内,
所述亮度曲线的斜率为负,并且
所述发光光谱的斜率为正。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述视角从0°到60°变化时由所述微腔结构引起的多重干涉光谱的峰值波长变化的波长范围内,所述发光光谱的二阶导数取大于或等于0的值。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述视角为0°时,每个第一发光元件具有在625nm至700nm的范围内的外部发光光谱的峰值波长。
4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:在所述基板上的多个第二发光元件,所述第二发光元件具有微腔结构,
其中,所述多个第二发光元件中的每一者包括:
第二发光膜;以及
夹着所述第二发光膜的第二上电极和第二下电极,
其中,所述第二发光膜的发光光谱的峰值波长在所述亮度曲线的斜率为负的波长范围内,
其中,当所述视角为0°时,所述第二发光膜的发光光谱的峰值波长与由所述第二发光元件的微腔结构引起的多重干涉光谱的峰值波长之差小于所述第一发光膜的发光光谱的峰值波长与由所述第一发光元件的微腔结构引起的多重干涉光谱的峰值波长之差。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,当所述视角为0°时,由所述第二发光元件的微腔结构引起的多重干涉光谱的峰值波长在所述第二发光膜的发光光谱的斜率大于或等于0的波长范围内。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,当所述视角为0°时,所述第二发光膜的发光光谱的峰值波长与由所述第二发光元件的微腔结构引起的多重干涉光谱的峰值波长相同。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其中,满足n2>n1的关系,其中,n1表示所述第一发光元件的盖层的折射率,n2表示所述第二发光元件的盖层的折射率。
8.一种显示装置,包括:
基板;以及
在所述基板上的多个第一发光元件,所述第一发光元件具有微腔结构,
其中,所述多个第一发光元件中的每一者包括:
第一发光膜;以及
夹着所述第一发光膜的第一上电极和第一下电极,
其中,所述第一发光膜的发光光谱的峰值波长在亮度曲线的斜率为负的波长范围内,并且
其中,在视角从0°到60°变化时所述第一发光元件的外部发光光谱的峰值波长变化的波长范围内,
Δu’v’取小于或等于0.07的值,其中,Δu’v’表示u’v’色度图中的颜色偏差;并且
对于所述视角的每一度的归一化亮度的变化为大于或等于-0.025且小于或等于0。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,当所述视角为0°时,所述外部发光光谱的峰值波长在625nm至700nm的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择