[发明专利]太阳能电池裂片方法和系统在审
申请号: | 201911099854.9 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN110854042A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 房开乐 | 申请(专利权)人: | 苏州迈为科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;H01L21/78 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 胡蓉 |
地址: | 215000 江苏省苏州市吴江区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 裂片 方法 系统 | ||
本发明提供了一种太阳能电池裂片方法和系统,其中方法包括:在晶硅片的表面刻点,得到刻点之后的晶硅片;晶硅片为具有长度的晶硅片,刻点包括激光刻点;在刻点之后的晶硅片的表面,以刻点为起点沿直线方向边加热边冷却刻点之后的晶硅片直至晶硅片的边缘,得到多个太阳能电池条,其中加热先于冷却进行。本发明缓解了现有技术中存在的对电池片损伤较大进而影响电池组件的效率的技术问题。
技术领域
本发明涉及太阳能电池裂片技术领域,尤其是涉及一种太阳能电池裂片方法和系统。
背景技术
随着国内政策及市场的日益变化,光伏发电的平价上网成为不可避免的发展趋势,而高功率及高效率的光伏发电组件因其单位面积发电量大,能够有效降低组件端或系统端的成本,从而受到大力支持及研究。
目前在太阳能电池片生产中,在电池转换效率一定的情况下,常用对电池片横向切半再串焊的方法,提高组件的发电功率。电池片切半有两道工序,一是用激光对电池片进行中部横向划线,划线的宽度及深度都需要精确控制,二是对划过线的电池片沿划线方向进行裂片分断。
现有技术中的上述先划线再进行机械切割裂片的方式,存在着对电池片损伤较大,进而影响电池组件的效率的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种太阳能电池裂片方法和系统,以缓解了现有技术中存在的对电池片损伤较大进而影响电池组件的效率的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种太阳能电池裂片方法,包括:在晶硅片的表面刻点,得到刻点之后的晶硅片;所述晶硅片为具有长度的晶硅片,所述刻点包括激光刻点;在所述刻点之后的晶硅片的表面,以刻点为起点沿直线方向边加热边冷却所述刻点之后的晶硅片直至晶硅片的边缘,得到多个太阳能电池条,其中加热先于冷却进行。本发明中的加热的温度为100~1000℃,冷却方式为去离子水冷却。
进一步地,在晶硅片的表面刻点,包括:在晶硅片的两对边的边缘处对称刻点。
进一步地,在所述晶硅片的表面所刻的点的长度为10~20微米,深度为75~80微米。
进一步地,所述晶硅片为HJT电池片或PERC电池片,本发明晶硅片种类不限于此,其他如钙钛矿太阳能电池片等同样在本发明保护范围内。
进一步地,在晶硅片的表面刻点,得到刻点之后的晶硅片之后,所述方法还包括:在所述刻点之后的晶硅片的上表面施加导电粘合剂结合材料。
进一步地,在晶硅片的表面刻点,得到刻点之后的晶硅片之前,所述方法还包括:在晶硅片的上表面施加导电粘合剂结合材料。
进一步地,在所述刻点之后的晶硅片的表面,以刻点为起点沿直线方向边加热边冷却所述刻点之后的晶硅片直至晶硅片的边缘,得到多个太阳能电池条之后,所述方法还包括:将所述多个太阳能电池条布置成直线,其中,相邻太阳能电池条的长边重叠,二者之间布置有所述导电粘合剂结合材料;固化所述导电粘合剂结合材料,以使相邻的有重叠部分的所述多个太阳能电池条串联电连接在一起。
第二方面,本发明实施例还提供了一种太阳能电池裂片系统,包括:刻点模块,加热模块和冷却模块,其中,所述刻点模块,用于在晶硅片的表面刻点,得到刻点之后的晶硅片;所述晶硅片为具有长度的晶硅片,所述刻点包括激光刻点;所述加热模块,用于在所述刻点之后的晶硅片的表面,以刻点为起点沿直线方向加热所述刻点之后的晶硅片;所述冷却模块,用于在所述加热模块加热所述晶硅片后再对所述晶硅片进行冷却,直至晶硅片的边缘,得到多个太阳能电池条。
进一步地,所述系统还包括;粘合剂添加模块,用于在所述刻点之后的晶硅片的上表面施加导电粘合剂结合材料。
进一步地,所述刻点模块在所述晶硅片的表面所刻的点的长度为10~20微米,深度为75~80微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造