[发明专利]银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法及金属图案的形成方法

权利要求书

1.一种银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：

(A)硝酸7～15重量％；

(B-1)烷基磺酸3～8重量％；

(B-2)烷基磺酸以外的有机酸25～50重量％；

(C)金属、金属盐和硫酸中的一种以上0.01～3重量％；

(D)硫酸盐5～25重量％；和

(E)余量的水，

所述(D)硫酸盐包含选自由硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸氢铵和硫酸镁组成的组中的一种以上。

2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(B-1)烷基磺酸为甲磺酸。

3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(B-2)烷基磺酸以外的有机酸包含选自由乙酸、柠檬酸、丙二酸、丁酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸组成的组中的一种以上。

4.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(C)金属、金属盐和硫酸中的一种以上包含选自由含有Fe和Cu的金属；Fe、Cu、In和Al的金属盐；和硫酸组成的组中的一种以上。

5.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述银薄膜蚀刻液组合物能够同时蚀刻由银或银合金构成的单层膜、或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜。

6.根据权利要求5所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述透明导电膜为选自由氧化铟、氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、氧化铟锡锌ITZO和氧化铟镓锌IGZO组成的组中的一种以上。

7.根据权利要求5所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述多层膜包含由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜。

8.一种蚀刻方法，其包括：

在基板上形成由银或银合金构成的单层膜、或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的步骤；

在所述单层膜或所述多层膜上选择性留下光反应物质的步骤；以及

使用权利要求1～7中任一项所述的银薄膜蚀刻液组合物蚀刻所述单层膜或所述多层膜的步骤。

9.一种金属图案的形成方法，其包括：

在基板上形成由银或银合金构成的单层膜、或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的步骤；以及

使用权利要求1～7中任一项所述的银薄膜蚀刻液组合物蚀刻所述单层膜或所述多层膜的步骤。