[发明专利]等离子体处理装置和环部件的形状测量方法

说明书

本发明涉及等离子体处理装置和环部件的形状测量方法。载置台具有用于依次载置多个治具的第一载置面和用于载置环部件的第二载置面。多个治具分别具有与环部件的上表面相对的相对部，该相对部在环部件的径向上的位置相互不同。获取部获取间隔信息，该间隔信息表示第二载置面与载置于第一载置面的多个治具各自的相对部的间隔尺寸。测量部在多个治具分别载置于第一载置面的状态下使环部件上升，在环部件的上表面与相对部接触的情况下，测量从第二载置面起的环部件的上升距离。厚度计算部基于由间隔信息表示的间隔尺寸和环部件的上升距离，计算在环部件的径向上的多个位置中的各个位置的环部件的厚度。由此，本发明能够适当地测量环部件的形状。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置和环部件的形状测量方法。

背景技术

一直以来，已知一种等离子体处理装置，其使用对半导体晶片(以下也称为“晶片”)等被处理体使用等离子体进行蚀刻等的等离子体处理。该等离子体处理装置在进行等离子体处理时消耗腔室内的部件。例如，为了使等离子体均匀化而设置于晶片的外周部的聚焦环等的环部件有时也靠近等离子体，消耗速度较快。环部件的消耗程度对晶片上的工艺结果有较大影响。例如，当环部件上的等离子体鞘与晶片上的等离子体鞘的高度位置产生偏差时，晶片的外周附近的蚀刻特性会降低，影响均匀性等。

因此，在等离子体处理装置中，当环部件消耗一定程度时进行环部件的更换。此外，还提出了根据消耗的程度而通过驱动机构来使环部件上升以使得将晶片与环部件的高度保持为一定的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-176030号公报。

专利文献2：日本特开2016-146472号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够适当地测量环部件的形状的技术。

用于解决技术问题的技术手段

本发明的一方式的等离子体处理装置，其包括：具有第一载置面和第二载置面的载置台，其中所述第一载置面用于依次载置多个治具，所述第二载置面用于载置环部件，所述环部件配置在被处理体的周围，所述多个治具是所述环部件的形状测量中所使用的治具，分别具有与所述环部件的上表面相对的相对部，所述多个治具的所述相对部在所述环部件的径向上的位置相互不同；使所述环部件相对于所述第二载置面升降的升降机构；获取间隔信息的获取部，所述间隔信息表示所述第二载置面与载置于所述第一载置面的所述多个治具各自的所述相对部的间隔尺寸；测量部，其在所述多个治具分别载置于所述第一载置面的状态下，利用所述升降机构使所述环部件上升，在所述环部件的上表面与所述相对部接触的情况下，测量从所述第二载置面起的所述环部件的上升距离；和厚度计算部，其基于由获取的所述间隔信息表示的所述间隔尺寸和测量出的所述环部件的上升距离，计算在所述环部件的径向上的多个位置中的各个位置的所述环部件的厚度。

发明效果

依照本发明，起到能够适当地测量环部件的形状的效果。

附图说明

图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置的结构的概略截面图。

图2是表示第一实施方式的载置台的主要部分结构的概略截面图。

图3是表示第一实施方式的控制等离子体处理装置的控制部的概略的结构的框图。

图4是表示已消耗的聚焦环的形状的一例的图。

图5是表示已消耗的聚焦环的形状的一例的图。

图6是表示已消耗的聚焦环的形状的一例的图。

图7是表示已消耗的聚焦环的形状的一例的图。