[发明专利]晶片的生成方法

说明书

提供晶片的生成方法，能够从单晶SiC的锭高效地剥离而生成晶片。该晶片的生成方法包含如下的工序：第一超声波赋予工序，对包含要生成的晶片的锭(2)的一部分的区域高密度地赋予超声波而形成一部分剥离的部分剥离部(29)；第二超声波赋予工序，在实施了该第一超声波赋予工序之后，在比该第一超声波赋予工序中赋予了高密度的超声波的该一部分的区域大的面积上按照低密度对锭(2)赋予超声波，形成从部分剥离部(29)遍及于晶片(W)的整个面的剥离部(29’)；以及剥离工序，从锭(2)剥离要生成的晶片(W)。

技术领域

本发明涉及晶片的生成方法，从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度进行照射而形成有剥离层的锭剥离要生成的晶片。

背景技术

IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、AL₂O₃(蓝宝石)等为材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线对该功能层进行划分而形成的。

并且，通过切削装置、激光加工装置沿着晶片的分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。另外，功率器件、LED等是在以六方晶单晶SiC为材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线对该功能层进行划分而形成的。

上述那样的供器件形成的晶片通常是利用线切割机将锭切片而生成的，对切片得到的晶片的正面和背面进行研磨而精加工成镜面(例如参照专利文献1)。但是，当利用线切割机将由六方晶单晶SiC构成的锭切断并对正面和背面进行研磨而生成晶片时，锭的70％～80％会被浪费，存在不经济的问题。特别是六方晶单晶SiC的锭，其硬度高，难以利用线切割机切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且锭的单价高，因此在高效地生成晶片方面具有课题。

针对上述课题，本申请人提出了如下的技术：将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于锭的内部而进行照射，在切断预定面形成分离层，从而将晶片分离(参照专利文献2)。另外，作为与上述技术类似的技术，还提出了如下的技术：从六方晶单晶Si锭的端面将对于Si具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度而进行照射，形成改质部，从而将晶片从锭剥离(例如参照专利文献3)。

专利文献1：日本特开2000-094221号公报

专利文献2：日本特开2016-111143号公报

专利文献3：日本特开2011-060862号公报

根据上述的专利文献2和专利文献3所记载的技术，与利用线切割机将锭切断而生成晶片的情况相比，被浪费的锭的比例降低，因此针对不经济的问题具有一定的效果。但是，从通过照射激光光线而得到的形成于锭的分离层分离晶片并不容易，在生产效率方面依然存在问题。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供晶片的生成方法，从六方晶单晶SiC的锭高效地剥离而生成晶片。

根据本发明，提供晶片的生成方法，从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度而对该锭照射该激光光线从而形成有剥离层的该锭剥离要生成的晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：第一超声波赋予工序，按照第一密度对包含要生成的晶片的该锭的一部分的区域赋予超声波，形成该一部分的区域发生了剥离的部分剥离部；第二超声波赋予工序，在实施了该第一超声波赋予工序之后，对该锭在比该第一超声波赋予工序中赋予了该第一密度的超声波的该一部分的区域大的面积上按照比该第一密度低的第二密度赋予该超声波，形成从该部分剥离部遍及于该要生成的晶片的整个面的剥离部；以及剥离工序，从该锭剥离要生成的晶片。

优选该第一超声波赋予工序和该第二超声波赋予工序经由水的层而对包含要生成的晶片的锭赋予超声波。