[发明专利]一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法

说明书

本发明提供一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法，P型阱和位于其一侧的存储阱；位于P型阱上的选择管栅极；位于存储阱上的存储管栅极；选择管栅极的高度低于存储管栅极的高度，并且存储管栅极远离选择管栅极的侧壁呈斜坡，该斜坡上设有金属硅化物；选择管栅极与存储管栅极之间设有ONO叠层，该ONO叠层高度与存储管栅极高度一致；选择管栅极的顶部设有依靠ONO叠层的第一侧墙；选择管栅极顶部的其余部分设有金属硅化物；选择管栅极远离所述存储管栅极的侧壁设有第二侧墙。本发明通过改造传统的1.5T SONOS工艺，加强选择管和存储管的栅极隔绝，降低选择管和存储管栅极漏电的风险，同时能让选择管的栅极也能生长金属硅化物,降低选择管的电阻，提高器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法。

背景技术

传统的1.5T(transistor)SONOS存储单元包括两个能独立操作的晶体管，为选择管和存储管，该两晶体管为紧贴布置，如图1所示，如图2所示，能比2T SONOS结构明显缩小存储单元面积，。选择管主要是作为存储管的导通和关闭，用于减少漏电。而存储管主要用于存储电荷，通过不同的Vt状态来实现数据存储。传统的1.5T SONOS的形成工艺，首先进行选择管的栅极定义(如图3a)，然后沉积存储ONO层和存储管多晶硅(图3b和图3c)，经过蚀刻去除多余多晶硅(图3d)，然后经过光刻打开相邻存储单元中间区域(图3e)，然后通过蚀刻去除选择管间多余多晶硅(图3f)，后形成侧面隔离墙(图3g)，后续经过salicide(自对准硅上金属化物)在存储管上形成salicide(图3h)。选择管的栅极一般不会生长salicide，如图4所示，这主要是避免如果salicide的隔绝没有做好时，在存储单元操作时，选择管和存储管距离d较近，选择管和存储管的栅极上施加不同的电压而导致发生顶部漏电甚至击穿，这就会造成选择管的连接电阻增大，在电路中使用很长的选择管时，会造成延迟。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法，用于解决现有技术中为了避免漏电而使用很长的选择管，导致选择管的连接电阻增大，造成延迟的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种1.5T SONOS存储器结构，该结构至少包括：P型阱和位于其一侧的存储阱；位于所述P型阱上的选择管栅极；位于所述存储阱上的存储管栅极；所述选择管栅极的高度低于所述存储管栅极的高度，并且所述存储管栅极远离所述选择管栅极的侧壁呈斜坡，该斜坡上设有金属硅化物；所述选择管栅极与所述存储管栅极之间设有ONO叠层，该ONO叠层高度与所述存储管栅极高度一致；所述选择管栅极的顶部设有依靠所述ONO叠层的第一侧墙；所述选择管栅极顶部的其余部分设有金属硅化物；所述选择管栅极远离所述存储管栅极的侧壁设有第二侧墙。

优选地，所述P型阱和所述存储阱位于DNW上。

优选地，所述存储阱的上表面设有注入层。

优选地，所述P型阱和所述注入层的上表面设有氧化层。

优选地，所述存储管栅极下与所述氧化层之间还设有所述ONO叠层。

优选地，所述存储管栅极呈斜坡的侧壁下端与所述氧化层之间的多晶硅上设有第三侧墙。