[发明专利]内埋元件封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种内埋元件封装结构，包括：

一介电结构；

一半导体芯片，内埋于该介电结构中，该介电结构包覆该半导体芯片且具有一第一厚度，该半导体芯片具有一第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度，且该第一厚度与该第二厚度的比值介于1.1～28.4之间；以及

一图案化导电层，覆盖该介电结构的一上表面并延伸于该介电结构的一第一开孔中，该第一开孔露出该半导体芯片的一电性接垫，该图案化导电层与该半导体芯片的该电性接垫电性连接。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第一厚度介于110-1420微米之间，该第二厚度介于100-50微米之间。

3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，对该介电结构的部分该上表面进行干式喷砂，以形成凹陷于该介电结构的该第一开孔。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该介电结构的一下表面切齐该半导体芯片的一背面，且露出该半导体芯片的该背面。

5.如权利要求4所述的封装结构，更包括一散热片，设置于该介电结构的该下表面并与该半导体芯片的该背面热接触。

6.如权利要求1所述的封装结构，更包括一线路结构，设置于该介电结构的该上表面。

7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，该线路结构包括一介电层，该介电层由积层膜(ABF,Ajinomoto build-up film)、预浸渍复合纤维、聚酰亚胺或聚丙烯制成。

8.如权利要求1所述的封装结构，更包括一第一线路结构以及一第二线路结构，该第一线路结构与该第二线路结构分别覆盖该介电结构的该上表面及相对的一下表面。

9.如权利要求8所述的封装结构，更包括贯穿该介电结构的至少一导电柱，该导电柱电性连接该第一线路结构及该第二线路结构。

10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该介电结构为一封胶材料，且该封胶材料包含环氧树脂及填充物，该填充物的重量百分比大于85wt％，且该填充物的尺寸介于5～10微米之间。

11.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该半导体芯片更包括一芯片粘贴膜(die attach film)以及一电路层内埋于该芯片粘贴膜中。

12.如权利要求6所述的封装结构，更包括一元件，设置于该线路结构上，且该封装结构更包括一封胶包覆该该线路结构上的该元件。

13.一种内埋元件封装结构，包括：

一介电结构，为一热固型封胶材料；

一半导体芯片，内埋于该介电结构中，该介电结构包覆该半导体芯片；以及

一图案化导电层，覆盖该介电结构的一上表面并延伸于该介电结构的一第一开孔中，该第一开孔露出该半导体芯片的一电性接垫，该图案化导电层与该半导体芯片的该电性接垫电性连接，其中该第一开孔以喷砂形成。

14.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，该介电结构具有一第一厚度，该半导体芯片具有一第二厚度，该第一厚度与该第二厚度的比值介于1.1～28.4之间。

15.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，对该介电结构的部分该上表面进行干式喷砂，以形成凹陷于该介电结构的该第一开孔。

16.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，该介电结构的一下表面切齐该半导体芯片的一背面，且露出该半导体芯片的该背面。