[发明专利]透明显示面板、显示面板及其显示装置有效
申请号: | 201911100581.5 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN110824797B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 蔡俊飞;周晓梁;刘如胜 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 显示 面板 及其 显示装置 | ||
1.一种透明显示面板,其特征在于,包括:若干第一子像素与位于每一第一子像素下方的第一像素驱动电路,每一所述第一像素驱动电路包括若干第一晶体管与第一存储电容,若干第一晶体管至少包括低温多晶氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管中的一种;所述低温多晶氧化物晶体管和/或所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的透明显示面板,其特征在于,
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶氧化物晶体管时,所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠;
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶硅晶体管时,所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠;
当所述若干第一晶体管包括所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管时,所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠;或所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠。
3.根据权利要求2所述的透明显示面板,其特征在于,所述第一子像素包括:第一电极、位于所述第一电极上的第一发光结构块,以及位于所述第一发光结构块上的第二电极;所述第一电极为反光电极;
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶氧化物晶体管时,所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠;
当所述若干第一晶体管仅包括所述低温多晶硅晶体管时,所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠;
当所述若干第一晶体管包括所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管时,所述低温多晶氧化物晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠;或所述低温多晶硅晶体管与所述第一存储电容在所述透明显示面板的正投影与所述第一电极在所述透明显示面板的正投影至少部分重叠。
4.根据权利要求1至3任一项所述的透明显示面板,其特征在于,所述第一像素驱动电路至少包括开关晶体管与驱动晶体管,所述开关晶体管为所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管中的一个,所述驱动晶体管为所述低温多晶氧化物晶体管与所述低温多晶硅晶体管中的另一个;
优选地,所述低温多晶氧化物晶体管中的栅极为顶栅或底栅。
5.根据权利要求4所述的透明显示面板,其特征在于,所述第一像素驱动电路还包括发光晶体管,所述发光晶体管为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管。
6.一种显示面板,其特征在于,包括透明显示区与非透明显示区,所述透明显示区设置有权利要求1至5任一项所述的透明显示面板。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述非透明显示区包括:若干第二子像素与位于每一第二子像素下方的第二像素驱动电路,每一所述第二像素驱动电路包括若干第二晶体管与第二存储电容,具有相同功能的所述第一晶体管与所述第二晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管,且具有相同功能的所述第一晶体管与所述第二晶体管中的相应对应层位于同一层;
可选地,所述相应对应层包括栅极、低温多晶氧化物层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、源极以及漏极中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第二像素驱动电路至少包括开关晶体管;所述第二像素驱动电路的开关晶体管与所述第一像素驱动电路的开关晶体管同为所述低温多晶氧化物晶体管或所述低温多晶硅晶体管;且各个第一子像素与各个第二子像素的开关晶体管的栅极电连接的扫描信号线位于同一层。
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