[发明专利]三维存储器及其制备方法

说明书

本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：提供晶圆结构与多个喷管，所述晶圆结构包括边缘结构，所述边缘结构包括多个依次设置的刻蚀区域；每个所述喷管对准一个所述刻蚀区域；每个所述喷管向对准的所述刻蚀区域喷射刻蚀液；所述刻蚀液刻蚀所述边缘结构以形成台阶结构。本发明解决了晶圆结构的边缘结构形成一个坡度较大的陡峭斜面，该陡峭斜面上通常会残留较多的残留物，陡峭斜面在经过化学机械研磨后，残留物将成为后续工序缺陷的源头，且可能造成晶圆结构的两层膜层之间出现间隙的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种三维存储器及其制备方法。

背景技术

电荷俘获型三维存储器(CTM)由于高存储密度，高稳定性和成熟的制备工艺而成为存储器闪存(flash)主流结构。

现有晶圆结构的边缘结构在刻蚀过程中，经常会在边缘结构形成一个坡度较大的陡峭斜面，不满足三维存储器性能的需求，且该陡峭斜面上通常会残留较多的残留物，陡峭斜面在经过化学机械研磨后，残留物将成为后续工序缺陷的源头，且可能造成晶圆结构的两层膜层之间出现间隙。

发明内容

本发明的目的在于提供一种三维存储器及其制备方法，以解决晶圆结构的边缘结构形成一个坡度较大的陡峭斜面，该陡峭斜面上通常会残留较多的残留物，陡峭斜面在经过化学机械研磨后，残留物将成为后续工序缺陷的源头，且可能造成晶圆结构的两层膜层之间出现间隙的技术问题。

本发明提供一种三维存储器的制备方法，包括：

提供晶圆结构与多个喷管，所述晶圆结构包括边缘结构，所述边缘结构包括多个依次设置的刻蚀区域；

每个所述喷管对准一个所述刻蚀区域；

每个所述喷管向对准的所述刻蚀区域喷射刻蚀液；

所述刻蚀液刻蚀所述边缘结构以形成台阶结构。

其中，提供晶圆结构包括：

提供衬底与设于所述衬底上的堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括所述边缘结构，所述边缘结构覆盖所述衬底的表面，且包围所述衬底的侧面；

所述刻蚀液刻蚀所述边缘结构以形成台阶结构包括：

所述刻蚀液刻蚀所述衬底表面上的边缘结构与所述衬底侧面上的所述边缘结构，以使所述衬底的侧面漏出，所述衬底表面上的边缘结构形成台阶结构。

其中，提供晶圆结构还包括：

提供粘合膜；

所述粘合膜粘合所述衬底与所述堆叠结构。

其中，所述制备方法包括：

控制所述喷管的喷射参数，以使所述刻蚀液以预设参数对所述刻蚀区域进行刻蚀。

其中，所述制备方法包括：

当所述喷管的喷射参数偏离所述预设参数时，校准每个所述喷管的喷射参数，以使所述刻蚀液以预设参数对所述刻蚀区域进行刻蚀。

其中，所述喷射参数至少包括所述喷管的喷射口尺寸，所述制备方法包括：

控制每个所述喷管的喷射口尺寸，以使所述刻蚀液以预设尺寸对所述刻蚀区域进行刻蚀。

其中，所述喷射参数至少包括所述喷管中的刻蚀液的喷射时间，所述制备方法还包括：

控制每个所述喷管中的刻蚀液的喷射时间，以使所述刻蚀液以预设时间对所述刻蚀区域进行刻蚀。

其中，所述喷射参数至少包括个所述喷管的喷射口角度，所述制备方法还包括：