[发明专利]一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法

权利要求书

1.一种有机无机杂化卤素钙钛矿材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将基底表面处理后，依次通入含铅前体和有机铵盐前体得到单层有机无机杂化卤素钙钛矿材料；重复通入含铅前体和有机铵盐前体，根据所需要的厚度确定循环次数，即得到有机无机杂化卤素钙钛矿材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤1，对基底进行表面处理；

步骤2，向装有已进行表面处理的基底的反应腔中以脉冲的方式通入含铅前体，直至所述含铅前体在基底表面吸附至饱和或与基底表面活性基团反应至饱和；

步骤3，向反应腔中通入惰性气体进行吹洗；

步骤4，向反应腔中以脉冲方式通入有机铵盐前体至所述有机铵盐前体与基底表面的含铅前体反应至饱和；

步骤5，向反应腔中通入惰性气体进行吹洗，得到单层有机无机杂化卤素钙钛矿材料；

步骤6，重复步骤2-5，根据所需要的厚度确定循环次数，即得到有机无机杂化卤素钙钛矿材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依次使用APTES、氢碘酸对基底表面进行处理；或对基底表面进行FOTS处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含铅前体为醋酸铅、硫氰酸铅或双(2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸)铅中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将反应腔加热至100-150℃后，向装有已进行表面处理的基底的反应腔中以脉冲的方式通入含铅前体。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将装有含铅前体和有机铵盐前体的容器加热至50-200℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为硅基基底、氧化物基底、氮化物基底、金属基底或柔性高分子基底。

8.根据权利要求1-7任一项所述方法得到的有机无机杂化卤素钙钛矿材料。

9.一种产品，所述产品包括权利要求8所述的有机无机杂化卤素钙钛矿材料；优选的，所述产品为光伏电池、激光器、发光二极管以及光敏传感器。

10.权利要求1-7所述的方法、权利要求8所述的有机无机杂化卤素钙钛矿材料或权利要求9所述的产品在光电领域中的应用。