[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201911101198.1 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN110797353A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 周炟;张陶然;莫再隆;李林宣;黄雯锦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姚楠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底基板 第二电极 电容 显示面板 阵列基板 正投影 第一电极 技术制作 所在区域 显示装置 坡面 延伸 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括电容,所述电容包括依次位于衬底基板之上的第一电极、介质部和第二电极;其中,所述介质部包括:面向所述第二电极的第一平面,以及由所述第一平面向所述衬底基板延伸的第一坡面;所述第二电极在所述衬底基板的正投影仅位于所述介质部的所述第一平面在所述衬底基板的正投影所在区域内。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电极包括:面向所述介质部的第二平面,以及与所述第二平面连接的第二坡面,所述第二坡面与所述第二平面形成的坡度角为锐角;
所述第二电极的所述第二平面在所述衬底基板的正投影仅位于所述介质部的所述第一平面在所述衬底基板的正投影所在区域内。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述介质部在所述衬底基板的正投影完全覆盖所述第一电极在所述衬底基板的正投影。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极包括:面向所述介质部的第三平面;所述第二电极的所述第二平面在所述衬底基板的正投影仅位于所述第一电极的所述第三平面在所述衬底基板的正投影所在区域内。
5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极还包括:面向所述衬底基板的第四平面,以及连接所述第四平面和所述第三平面的第三坡面;所述第三坡面与所述第四平面的夹角为50度至90度。
6.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:栅极驱动电路,所述栅极驱动电路包括所述电容。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:像素电路,所述像素电路包括所述电容。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括依次位于所述衬底基板之上的第一栅极金属层、栅极绝缘层和第二栅极金属层;其中,所述第一电极与所述第一栅极金属层位于同一层,所述介质部与所述栅极绝缘层位于同一层,所述第二电极与所述第二栅极金属层位于同一层。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的