[发明专利]一种半导体晶圆翘曲形变测试设备

权利要求书

1.一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，包括本体(10)，所述本体(10)包括影像撷取室(11)、测试室(12)、预热室(13)和自动控制装置，其特征在于：所述预热室(13)、影像撷取室(11)和测试室(12)独立设置，所述影像撷取室(11)设置于测试室(12)上方，所述影像撷取室(11)与测试室(12)之间设有高透光率玻璃，所述自动控制装置电连接影像撷取室(11)、测试室(12)及预热室(13)，所述影像撷取室(11)设有摄影装置(111)，所述测试室(12)相异两侧壁开设有第一进气口(121)及第一排气口(122)，所述第一排气口(122)处设有第一闸门(171)，所述测试室(12)的温度线性升率上升，所述测试室(12)的升温速度为每一秒钟升高1℃～3℃；所述预热室(13)设有加热装置(131)，所述预热室(13)相异两侧壁开设有第二进气口(134)和第二排气口(135)，所述第一排气口(122)与第二进气口(134)之间设有软质的排气通道(182)，所述第二排气口(135)与第一进气口(121)之间设有软质的进气通道(181)，所述第二进气口(134)处设有第二闸门(172)，所述第二排气口(135)出设有第三闸门(173)；所述预热室(13)底部设有减震橡胶垫片(132)，所述预热室(13)与测试室(12)之间通过软质耐热帆布管体连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，其特征在于：所述预热室(13)中设有鼓风机(1311)、风扇(1312)、加热管(1313)及吸热结构(1314)，所述风扇(1312)至少有一个，所述鼓风机(1311)位于预热室(13)顶部，所述风扇(1312)设置在预热室(13)的侧壁，所述吸热结构(1314)设置在该预热室(13)的底部，所述加热管(1313)设置在吸热结构(1314)顶部。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，其特征在于：所述测试室(12)内设有叶片(123)，所述叶片(123)转动设置在第一进气口(121)。

4.根据权利要求1或3所述的一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，其特征在于：所述测试室(12)内活动设置有网状置放架(124)，所述网状置放架(124)位于叶片(123)和第一进气口(121)的交界处。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，其特征在于：所述测试室(12)的内侧壁面上设有液态氮注入结构(133)和风扇(1312)，所述风扇(1312)至少有一个。

6.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，其特征在于：所述测试室(12)和预热室(13)上均设有门体，所述测试室(12)和预热室(13)对应的门体边框处均环设有至少一条密封条。

7.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，其特征在于：所述排气通道(182)与进气通道(181)均为软质耐热的帆布管体。

8.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆(20)翘曲形变测试设备，其特征在于：所述自动控制装置上设有USB插槽，所述USB插槽与自动控制装置电连接。