[发明专利]侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构

权利要求书

1.一种侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一腔体，其具有第一反应腔室；

提供第一线圈，其环绕设置于该第一腔体的外围；

提供第二腔体，其具有第二反应腔室，该第二腔体形成于该第一腔体的下方，且该第二反应腔室与该第一反应腔室相连通；

提供第二线圈，其环绕设置于该第二腔体的外围；

设置至少一个第一进气口，其形成于该第一反应腔室的顶面，又该第一进气口输入第一气流，在该第一反应腔室及该第二反应腔室的等离子体反应区形成气体反应物气团，用以覆盖晶圆片；

设置至少一个第二进气口，其形成于该第一反应腔室的外围且位于该第二腔体顶面的位置，又该第二进气口输入第二气流，用以通过该气体反应物气团的边缘区域；

设置多个第三进气口，其形成于该第二反应腔体的侧壁上且高于该晶圆片顶面的位置，又该第三进气口输入第三气流，用以使该第二气流产生扰流，以增加该气体反应物气团的边缘的气体反应物分子浓度；以及

设置至少一个出气口，其与该第二反应腔室相连通且形成于该晶圆片下方的位置。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该多个第三进气口的喷射角度介于0-60度之间。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：

提供气体流量比例控制器，其用以控制该至少一个第一进气口、该至少一个第二进气口、该多个第三进气口及该出气口间的气体流量的比例及流速。

4.一种侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机结构，其特征在于，包括：

第一腔体，其具有第一反应腔室；

第一线圈，其环绕设置于该第一腔体的外围；

第二腔体，其具有第二反应腔室，该第二腔体形成于该第一腔体的下方，且该第二反应腔室与该第一反应腔室相连通；

第二线圈，其环绕设置于该第二腔体的外围；

至少一个第一进气口，形成于该第一反应腔室的顶面；

至少一个第二进气口，形成于该第一反应腔室的外围且位于该第二腔体顶面的位置；

多个第三进气口，形成于该第二反应腔体的侧壁上且高于晶圆片顶面的位置；以及

至少一个出气口，其与该第二反应腔室相连通且形成于该晶圆片下方的位置。

5.根据权利要求4所述的蚀刻机结构，其特征在于，该多个第三进气口的喷射角度介于0-60度之间。

6.根据权利要求4所述的蚀刻机结构，其特征在于，还包括：

气体流量比例控制器，用以控制该至少一个第一进气口、该至少一个第二进气口、该多个第三进气口及该出气口间的气体流量的比例及流速。