[发明专利]一种MoS2 在审
| 申请号： | 201911103379.8 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110817842A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 郑春明;马超;吕霈雨 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/15 | 分类号： | C01B32/15;C01G39/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种MoS2复合碳纳米片的制备方法，其特征在于，用水热法合成，具体为在磁力搅拌下将0.1～2mmol四水合钼酸铵，10～50mmol硫代乙酰胺和1～5mmol CTAB(均匀分散在70mL去离子水中。之后，将获得的溶液转移至带有100mL聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中，并在180℃下加热12～36h。自然冷却至室温后，将黑色产物离心分离，并用去离子(DI)水和无水乙醇洗涤3次，然后在80℃下真空干燥6～24h得到碳纳米片。
2.根据权利要求书1所述一种纳米片的制备方法，其特征在于通过在氩气气氛下1～10℃·min-1的加热速率在高温下煅烧1～5h来获得样品。
3.根据权利要求书1所述一种纳米片的制备方法，其特征在于所述高温煅烧温度为500～600℃。
4.本发明中所述一种纳米片的制备方法，其特征在于添加1～5mmol CTAB的情况下被表示为MoS2复合碳纳米片。
5.本发明中所述一种纳米片的制备方法，其特征在于所述高温煅烧温度为450～650℃。
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