[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 201911104937.2 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN110911458A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 王俊;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板,本发明通过半色调掩膜工艺制备形成导电层,其中所述导电层包括:第一导电层以及第二导电层。其中所述第一导电层覆于所述通孔中的有源层上,并沿所述通孔的孔壁延伸至所述平坦层的表面上;所述第二导电层设于所述第一导电层上。由此可以将所述源漏极层与所述像素电极采用同一道光罩进行蚀刻,进而节省光罩次数,简化制备步骤,提高生产效率,降低生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
有机发光显示装置(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是:当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对),而此激发态在通常的环境中是不稳定的,激发态的激子复合并将能量传递给发光材料,使其从基态能级跃迁为激发态,激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子,释放出光能,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色,构成基本色彩。
OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,已经成为当今最重要的显示技术之一。
其中所述阵列基板的制备过程中需要多次采用掩膜工艺进行蚀刻制备相关膜层。其中每一道光罩掩模制造工艺中都需要经历清洗、干燥、成膜、光刻等几个步骤,流程较多,不可避免的存在着制程时间较长,良率较低、成本高等问题。因此需要寻求一种新型的阵列基板结构,以减少光罩掩膜次数,提高生产效率,降低生产成本。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,其能够减少光罩次数,降低光罩成本,提高生产效率。
为了解决上述问题,本发明的一个实施方式提供了一种阵列基板,其包括:基板、缓冲层、有源层、层间绝缘层、平坦层以及导电层。其中所述缓冲层设置于所述基板上;所述有源层设置于所述缓冲层上;所述层间绝缘层设置于所述有源层上;所述平坦层设置于所述层间绝缘层上。所述阵列基板还包括通孔,由所述平坦层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层上。所述导电层包括:第一导电层以及第二导电层。其中所述第一导电层覆于所述通孔中的有源层上,并沿所述通孔的孔壁延伸至所述平坦层的表面上;所述第二导电层设于所述第一导电层上。
进一步的,其中所述第一导电层为透明导电层或半透明导电层。
进一步的,其中所述第一导电层所用材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌中的一种或多种;所述第二导电层所用材料为铜。
进一步的,其中所述导电层包括:源极、漏极以及像素电极。其中所述源极、漏极均包括所述第一导电层和所述第二导电层,所述像素电极包括所述第一导电层,所述像素电极设于所述平坦层上且与所述漏极连接。
进一步的,其中所述阵列基板还包括:栅极绝缘层,其设置于所述有源层上;栅极层,其设置于所述栅极绝缘层上;以及发光层,其设置于所述像素电极上;其中所述层间绝缘层设置于所述栅极层、有源层上。
本发明的另一个实施方式还提供了一种本发明所涉及的阵列基板的制备方法,其包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上制备缓冲层;在所述缓冲层上制备有源层;在所述有源层上制备层间绝缘层;在所述层间绝缘层上制备平坦层;对所述平坦层进行刻蚀,形成由所述平坦层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层的通孔;在所述通孔中的有源层上覆于第一导电层,所述第一导电层沿所述通孔的孔壁延伸至所述平坦层的表面上;在所述第一导电层上制备第二导电层,通过掩膜工艺对所述第一导电层和所述第二导电层进行刻蚀形成导电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911104937.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的