[发明专利]一种硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构及其制备方法

权利要求书

1.一种负载于导电基底表面的、均一复合的硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构，其特征在于，所述纳米片阵列结构由硫化锡和硫化镍复合组成，二者之间相互融合，形成均一、连贯的片状异质结构；所述纳米片垂直、均匀地生长于导电基底上，形成一种高密度的纳米片阵列结构。

2.按照权利要求1所述的负载于导电基底表面的、均一复合的硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构的制备方法，其特征在于，采用一步溶剂热合成方法，以氯化镍、四氯化锡和硫代乙酰胺分别作为镍源、锡源和硫源，以酒精和水混合液作为溶剂，以导电基底作为骨架，通过控制水的添加量来控制控制产物的组成、形貌和微观结构，直接在导电基底表面上垂直生长出均一复合的、高密度的硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构；包括以下步骤：

(1)在烧杯中，首先加入四氯化锡、氯化镍和硫代乙酰胺，然后加入酒精溶剂，充分搅拌使其混合均匀；再加入去离子水，继续搅拌直至变成澄清的浅绿色溶液为止；

(2)将上述溶液转移至反应釜中，竖直插入预先洗干净的导电基底，密封后放入电炉中，然后以5-20℃/min的速率从室温加热到140-180℃，并保温4-12小时；自然冷却到室温后，打开反应釜，取出基底，用去离子水和酒精交替润洗3-5次，在50-80℃下烘干8-12小时，即获得所述负载于导电基底表面的、均一复合的硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构。

3.按照权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中四氯化锡的浓度为0.02-0.04mol/L，四氯化锡、氯化镍的摩尔比为(0.8-3):1，硫代乙酰胺与氯化锡和氯化镍的总量的摩尔比为1.5-2.5，酒精和去离子水的体积比为(20-65):1；所述步骤(2)中高压反应釜内反应液填充量为50％-80％。

4.按照权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的导电基底为金属镍泡沫、金属铜泡沫、金属镍板、金属铜板、导电玻璃、碳布和碳纸之一种。

5.按照权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中合成反应的加热程序为：以5-20℃/min的速率从室温加热到140-180℃，并保温4-12小时。