[发明专利]双发射荧光材料及其制备方法和其在LED器件中的应用

权利要求书

1.一种双发射荧光材料，其特征在于，所述双发射荧光材料包括如下质量百分比的组分，10％～18％硅量子点和82％～90％聚硅氧烷。

2.根据权利要求1所述的双发射荧光材料，其特征在于，所述双发射荧光材料具有硅量子点镶嵌在聚硅氧烷上形成的二维薄膜结构。

3.根据权利要求1所述的双发射荧光材料，其特征在于，所述双发射荧光材料的吸收波长范围为250～500nm，所述双发射荧光材料的发射波长范围为400～600nm。

4.根据权利要求1所述的双发射荧光材料，其特征在于，所述双发射荧光材料在波长为350～400nm的紫外线激发下，量子效率达到40～85％。

5.根据权利要求1所述的双发射荧光材料，其特征在于，通过1-[3-(三甲氧基硅基)丙基]脲作为硅源制备得到硅量子点和聚硅氧烷。

6.权利要求1～5任一项所述的双发射荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将硅源、螯合剂和去离子水混合，在180～250℃下进行水热反应，得到所述双发射荧光材料。

7.根据权利要求6所述的双发射荧光材料的制备方法，其特征在于，所述硅源、螯合剂和去离子水的用量比为(1～2.5)ml:1g:(20～30)ml。

8.根据权利要求6所述的双发射荧光材料的制备方法，其特征在于，所述硅源为1-[3-(三甲氧基硅基)丙基]脲，所述螯合剂为柠檬酸钠和/或柠檬酸和氢氧化钠的混合物。

9.根据权利要求6所述的双发射荧光材料的制备方法，其特征在于，水热反应时间为5～15h。

10.权利要求1～5任一项所述的双发射荧光材料或权利要求6～9任一项所述的制备方法得到的双发射荧光材料在LED器件中的应用，其特征在于，按照质量比为1:3～10将所述双发射荧光材料和有机硅混合均匀后涂布到LED芯片上。

11.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，涂布到主波长为350～420nm的LED芯片上，经过固化后得到暖白光LED器件。

12.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，涂布到主波长为440～480nm的LED芯片上，经过固化后得到正白光LED器件。

13.一种白光LED器件，其特征在于，包括权利要求1～5任一项所述的双发射荧光材料或权利要求6～9任一项所述的制备方法得到的双发射荧光材料。