[发明专利]相变化随机存取记忆体元件的形成方法

说明书

一种相变化随机存取记忆体(PCRAM)元件的形成方法包括：在底部电极上形成相变化元件并且在该相变化元件上形成顶部电极；在该相变化元件周围形成保护层；以及在形成该保护层之后，在该保护层周围形成含氮侧壁间隔物层。

技术领域

本申请是关于相变化随机存取记忆体。

背景技术

快闪记忆体是一种广泛使用的非挥发性记忆体。然而，快闪记忆体却预期会遇到尺寸微缩的困难。因此，正在探索替代类型的非挥发性记忆体。在这些替代类型的非挥发性记忆体中有相变化记忆体(phase change memory；PCM)。PCM是一种非挥发性记忆体，在该非挥发性记忆体中采用相变化元件的相位来表示数据的状态。PCM具有快速读写时间、非破坏性读取和高可微缩性等好处。

发明内容

在一些实施例中，一种方法，包括：在底部电极上形成相变化元件以及在该相变化元件上形成顶部电极；在该相变化元件周围形成保护层；以及在形成该保护层之后，在该保护层周围形成含氮侧壁间隔物层。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本揭露的各态样。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各种特征的尺寸。

图1图示根据本揭示的记忆体元件的一些实施例的剖视图；

图2图示了根据本揭示的一些实施例的如图1中的剖切线所示的图1的记忆体元件的俯视图；

图3图示了根据本揭示的图1的记忆体元件的一些替代实施例的剖视图；

图4图示了根据本揭示的包括图1的记忆体元件的集成电路(IC)的一些实施例的剖视图；

图5至图14图示了根据本揭示的形成记忆体元件的方法的一些实施例的剖视图；

图15A和图15B图示了根据一些实施例的形成记忆体元件的方法；

图16图示了根据本揭示的可用于制造记忆体元件的变压器耦合电浆(TCP)反应器的一些实施例。

【符号说明】

100a 记忆体元件

100b 记忆体元件

102 基板

104 晶体管

106 底部内连接中介窗

108 底部导电线

110 IMD层

112 介电层

114 底部电极

116 PCM单元

120 PCE

120' PCE

120s 外侧壁

120s' 侧壁

122 顶部电极

122' 顶部电极

122s 外侧壁

122s' 侧壁

124 硬遮罩

124' 硬遮罩

124s 外侧壁

124s' 侧壁

125 保护涂层

126 第一侧壁间隔物