[发明专利]酞菁铜磺酸掺杂聚合物基热电材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911106587.3 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110808329B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 殷勤俭;王乙涵;吴思琦;胡利智 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L35/24 | 分类号： | H01L35/24;H01L35/34;C08J5/18;C08L65/00;C08L25/18;C08K5/00;C08J7/12 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 胡文莉 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 酞菁铜磺酸 掺杂 聚合物 热电 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.酞菁铜磺酸掺杂聚合物基热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：用酞菁铜二磺酸掺杂聚3,4-乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸悬浮液制备所得；具体包括以下步骤：
(1)酞菁铜磺酸钠盐与浓盐酸反应，制得可溶于水的酞菁铜二磺酸；
(2)酞菁铜二磺酸作为掺杂剂与聚3,4-乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸悬浮液混合反应后，以聚偏氟乙烯膜为基底，采用真空抽滤和乙二醇滴涂处理的方式制备出复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的酞菁铜磺酸掺杂聚合物基热电材料的制备方法，其特征在于，所述的酞菁铜二磺酸的掺杂浓度为20wt％；
3.酞菁铜磺酸掺杂聚合物基热电材料，其特征在于，由权利要求1到2任一项所述的制备方法制备所得。
4.根据权利要求3所述的酞菁铜磺酸掺杂聚合物基热电材料的应用，其特征在于，作为柔性聚合物热电材料。
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