[发明专利]锗硅工艺中颗粒缺陷的检测方法

权利要求书

1.一种锗硅工艺中颗粒缺陷的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一硅衬底，所述硅衬底上制作有带有侧墙的栅极结构；

在所述栅极结构两侧的区域制作沟槽；

在所述沟槽内生成锗硅外延层；

通过薄膜淀积工艺生长间隙层，所述间隙层在所述锗硅外延层的上方；

检测颗粒缺陷，所述颗粒缺陷由生成所述锗硅外延层的工艺造成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极结构两侧的区域制作沟槽，包括：

沉积刻蚀阻挡层；

通过光刻、刻蚀工艺去除所述栅极结构两侧区域的刻蚀阻挡层，露出硅衬底；

对所述硅衬底进行刻蚀，得到西格玛形状的沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述沟槽内生成锗硅外延层，包括：

通过选择性外延工艺在所述沟槽内生成所述锗硅外延层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锗硅外延层的顶部高于所述硅衬底的表面。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述硅锗外延层包括锗硅种子层、主体层和盖帽层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙层包括氮化硅层。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述通过薄膜淀积工艺生长间隙层，包括：

去除沟槽制作过程中沉积的刻蚀阻挡层；

通过薄膜淀积工艺生长间隙层。

8.根据权利要求2或7所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为氮化硅层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在沟槽内生长锗硅外延层之前，所述方法还包括：

对晶圆进行预清洗工艺。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测颗粒缺陷，包括：

通过光学检测系统检测所述颗粒缺陷。