[发明专利]一种WS2有效

专利信息
申请号: 201911106846.2 申请日: 2019-11-13
公开(公告)号: CN112758985B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 胡翔;温珍海 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C01B32/05 分类号: C01B32/05;C01G41/00;H01M4/136;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054;B82Y30/00
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 杨晓云
地址: 350002 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 ws base sub
【权利要求书】:

1.一种WS2/氮掺杂碳的复合材料的制备方法,其特征在于,所述WS2/氮掺杂碳的复合材料为WS2纳米片与氮掺杂的碳基质复合形成的三维分级空心微米花;

所述制备方法包括以下步骤:

将含有钨源、硫源、氮源、碳源和表面活性剂的前驱体溶液经水热反应、热处理,即得到所述WS2/氮掺杂碳的复合材料;

所述钨源为钨酸钠、钨酸钾、钨酸铵中的至少一种;

所述硫源为硫代乙酰胺、硫脲的至少一种;

所述前驱体溶液中的碳源和氮源为同时含有碳和氮的物质,所述同时含有碳和氮的物质为多巴胺、苯乙胺中的至少一种;

所述表面活性剂为三嵌段共聚物F127、十六烷基三甲基溴化铵中的至少一种;

所述水热反应的温度为200 ~250℃;所述水热反应的时间为12~36h。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述三维分级空心微米花的粒径为1~2μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述WS2纳米片为1~3层;所述WS2纳米片的层间距为0.92 nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钨源、硫源、同时含有碳和氮的物质、表面活性剂的质量比为5~8:2~5:3~6:2~3。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,含有钨源、硫源、氮源、碳源和表面活性剂的前驱体溶液中,钨源的浓度为10~20mg/mL;

硫源的浓度为5~10mg/mL;

同时含有碳和氮的物质的浓度为4~6mg/mL;

表面活性剂的浓度为2~4mg/mL。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热处理的温度为700~800℃;所述热处理的时间为1~3h。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热处理的条件为:惰性气氛下,升温速率1~3℃/min,热处理温度700~800℃,热处理时间1~3h。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:

(a)获得含有钨源、硫源、氮源、碳源和表面活性剂的前驱体溶液;

(b)将(a)中的前驱体溶液进行水热反应;

(c)将(b)中水热反应产物经分离、干燥后,在惰性气氛中热处理,得到所述WS2/氮掺杂碳的复合材料。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(a)包括:

(a1)将钨源、硫源加入醇和水的混合溶液中,获得均一的钨源和硫源的溶液;

(a2)将表面活性剂、含有氮和碳的物质加入步骤(a1)中的溶液中,混合均匀后,得到前驱体溶液。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述醇选自乙醇、甲醇、乙二醇中的至少一种。

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