[发明专利]嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置

权利要求书

1.一种嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，包含：

一P型基板；

至少一整流区域，设于该P型基板中，并电性连接一阳极与一阴极，该至少一整流区域包含：

一第一N型重掺杂区，设于该P型基板中，并电性连接该阴极；

一N型井区，设于该P型基板中；以及

一第一P型重掺杂区，设于该N型井区中，并电性连接该阳极；

至少一触发器，设于该P型基板与该N型井区中，该至少一触发器与该P型基板形成至少一N通道金氧半场效晶体管，该至少一触发器与该至少一整流区域彼此独立，该第一P型重掺杂区位于该至少一触发器与该第一N型重掺杂区之间；以及

一信号侦测器，其电性连接该至少一触发器、该阳极与该阴极，在一静电放电电压发生在该阳极时，该信号侦测器接收该静电放电电压，以导通该至少一N通道金氧半场效晶体管，进而触发该第一P型重掺杂区、该N型井区、该P型基板与该第一N型重掺杂区，以释放一静电放电电流，其中该静电放电电流并未通过该至少一N通道金氧半场效晶体管。

2.如权利要求1所述的嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，在该静电放电电压消失时，该信号侦测器关闭该至少一N通道金氧半场效晶体管。

3.如权利要求1所述的嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，该至少一整流区域还包含一第二P型重掺杂区，其设于该P型基板，并电性连接该阴极。

4.如权利要求1所述的嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，该至少一触发器包含：

一第二N型重掺杂区，其设于该P型基板与该N型井区中，该第一P型重掺杂区位于该第一N型重掺杂区与该第二N型重掺杂区之间；

一第三N型重掺杂区，设于该P型基板中，该第三N型重掺杂区与该第二N型重掺杂区彼此分离；

一介电层，设于该第二N型重掺杂区与该第三N型重掺杂区之间的该P型基板上；以及

一导电层，设于该介电层上，并电性连接该信号侦测器，该第二N型重掺杂区、该第三N型重掺杂区、该介电层、该导电层与该P型基板形成该至少一N通道金氧半场效晶体管。

5.如权利要求4所述的嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，还包含一第三P型重掺杂区，其设于该P型基板中，并经由一导电线电性连接该第三N型重掺杂区。

6.如权利要求1所述的嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，该至少一触发器包含：

一第二N型重掺杂区，其设于该N型井区中，该第一P型重掺杂区位于该第一N型重掺杂区和该第二N型重掺杂区之间；

一第三N型重掺杂区，设于该P型基板中，并通过一导线电性连接该第二N型重掺杂区；

一第四N型重掺杂区，设于该P型基板中，该第四N型重掺杂区与该第三N型重掺杂区彼此分离；

一介电层，设于该第三N型重掺杂区和该第四N型重掺杂区之间的该P型基板上；以及

一导电层，设于该介电层上，并电性连接该信号侦测器，该第三N型重掺杂区、该第四N型重掺杂区、该介电层、该导电层和该P型基板形成该至少一N通道金氧半场效晶体管。

7.如权利要求6所述的嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，还包含一第三P型重掺杂区，该第三P型重掺杂区设于该P型基板中，并通过一导线电性连接该第四N型重掺杂区。

8.如权利要求1所述的嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，该至少一整流区域的数量为两个并且位置互相对称。

9.如权利要求1所述的嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，该至少一触发器的数量为两个并且位置互相对称。

10.如权利要求1所述的嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其特征在于，还包含一第一P型井区，其设于该P型基板中，且该至少一触发器设于该第一P型井区中。