[发明专利]共享接触孔及其刻蚀缺陷检测方法在审
| 申请号： | 201911107360.0 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110854092A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 潘逢佳;王恺 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共享 接触 及其 刻蚀 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种共享接触孔，该共享接触孔形成在半导体器件制造过程中用于共享接触孔刻蚀缺陷检测，其特征在于：该共享接触孔形成于半导体器件衬底有源区上方，共享接触孔与该半导体器件多晶硅栅之间采用绝缘介质线。
2.如权利要求1所述的共享接触孔，其特征在于：所述绝缘介质线采用氮化硅形成。
3.如权利要求1所述的共享接触孔，其特征在于：所述共享接触孔采用钨栓塞。
4.一种利用权利要求1-3任意一项所述共享接触孔的共享接触孔刻蚀缺陷检测方法，其用于半导体器件制造过程中，其特征在于，包括：
S1，在半导体器件中形成所述共享接触孔，共享接触孔下方是该半导体器件有源区，共享接触孔与该半导体器件多晶硅栅之间电性隔离；
S2，对共享接触孔进行电子束扫描缺陷检测的电压衬度模式检测判断是否存在刻蚀缺陷。
5.如权利要求4所述的共享接触孔刻蚀缺陷检测方法，其特征在于：实施步骤S2时,判断所述共享接触孔底部的电压衬度信号是否为明场，若电压衬度信号为暗场则存在刻蚀缺陷，若电压衬度信号为明场则不存在刻蚀缺陷。
6.如权利要求4所述的共享接触孔刻蚀缺陷检测方法，其特征在于：实施步骤S2时,在共享接触孔完成栓塞化学机械研磨后在缺陷检测站点进行电子束扫描缺陷检测的电压衬度模式检测。
7.如权利要求6所述的共享接触孔刻蚀缺陷检测方法，其特征在于：共享接触孔采用钨栓塞化学机械研磨。
8.如权利要求4所述的共享接触孔刻蚀缺陷检测方法，其特征在于：共享接触孔与该半导体器件多晶硅栅之间采用绝缘介质电性隔离。
9.如权利要求8所述的共享接触孔刻蚀缺陷检测方法，其特征在于：所述绝缘介质是氮化硅。
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