[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

移载室，其将基板移载到基板保持件上；

上部气体供给机构，其从第1气体供给口向所述移载室的上部区域供给气体；和

下部气体供给机构，其设置在所述上部气体供给机构的下方，并从第2气体供给口向所述移载室的下部区域供给气体，

所述上部气体供给机构具有：

第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；

上部管道，其在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对；和

第1供给部，其设置在所述上部管道的下端，

所述下部气体供给机构具有：

第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；

下部管道，其与所述第2缓冲室的下方相邻形成；和

第2供给部，其设置在所述下部管道的下端。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述上部管道以形成于所述第2缓冲室的两侧面的方式构成。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述上部管道从所述第1缓冲室的上端沿着所述第2缓冲室的两侧面延伸至所述上部管道的下端的位置。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1供给部以与所述上部管道对应的方式在所述上部管道的下端设置有多个。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述上部管道以朝向上方而截面积逐渐变小的方式形成。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述上部气体供给机构的相对侧还构成有侧面排气部，

所述侧面排气部分别设于所述移载室的上部区域的上方、和所述移载室的上部区域的下方。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1缓冲室比所述第2缓冲室大。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述下部管道在主视下形成为漏斗状。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述下部区域的底面设有底面排气部。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述底面排气部设在易于产生气体沉积的部分。

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第1气体供给口以及所述第2气体供给口中的至少一个气体供给口上设置有形成多个开孔的面板。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，所述面板具有：

第3气体供给口，其在所述面板的整个面上形成；和

第3缓冲室，其形成在所述第3气体供给口的背面。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述第3气体供给口比所述第1气体供给口大。

14.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：

在移载室内将基板移载至基板保持件上的工序；和

在处理室内处理所述基板保持件上所保持的所述基板的工序，

在所述移载的工序中，从上部气体供给机构向所述移载室内的上部区域供给气体，并从下部气体供给机构向所述移载室内的下部区域供给气体，其中，所述上部气体供给机构具有：形成在第1气体供给口的背面的第1缓冲室；在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对的上部管道；和设置在所述上部管道的下端的第1供给部，所述下部气体供给机构设置于所述上部气体供给机构的下方，并具有：形成在第2气体供给口的背面的第2缓冲室；与所述第2缓冲室的下方相邻形成的下部管道；和设置在所述下部管道的下端的第2供给部。