[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部；在所述鳍部表面形成硅层，所述硅层覆盖所述鳍部的顶部和侧壁；对所述硅层进行氧化处理，形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述鳍部的顶部和侧壁。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，通过在鳍部表面形成一层额外的硅层，使得形成栅氧化层时不需要消耗太多鳍部原有的硅，避免鳍部尺寸损失，从而有利于提高半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。

为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(Fin FET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，且隔离结构表面低于鳍部顶部；位于隔离结构表面，以及鳍部的顶部和侧壁表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。

然而，随着半导体器件的尺寸缩小，器件密度的提高，形成鳍式场效应晶体管的工艺难度增大，导致形成的鳍式场效应晶体管的性能不稳定。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，有利于提高半导体结构的性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部；在所述鳍部表面形成硅层，所述硅层覆盖所述鳍部的顶部和侧壁；对所述硅层进行氧化处理，形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述鳍部的顶部和侧壁。

可选的，形成所述硅层的方法包括：通过乙硅烷分解在所述鳍部表面形成种子层；通过甲硅烷分解在所述种子层上形成硅主体层。

可选的，形成所述种子层的温度为320～420℃。

可选的，形成所述种子层的压强为0.1～2托。

可选的，形成所述硅主体层的温度为470～560℃。

可选的，形成所述硅主体层的压强为0.1～2托。

可选的，所述种子层的材料为无定形硅，所述硅主体层的材料为无定形硅。

可选的，所述硅层的厚度是所述栅氧化层厚度的0.35～0.4倍。

可选的，采用原位水汽生成工艺对所述硅层进行氧化处理。

可选的，所述原位水汽生成工艺的工艺参数包括：反应气体包括氢气和氧气，氢气的流量为1000～20000sccm，氧气的流量为1000～30000sccm，反应温度为700～900℃，反应压强为500～1000托，反应时间为30～90秒。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

在生长栅氧化层之前，在所述鳍部表面形成一层额外的硅层，形成的额外的硅层覆盖鳍部的顶部和侧壁，在后续生长栅氧化层时，可以通过氧化额外的硅层得到栅氧化层，而不需要通过消耗鳍部的硅来形成栅氧化层，避免由于鳍部被消耗过多导致半导体结构性能下降。

附图说明

图1至图4是本发明半导体结构的形成方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式