[发明专利]机身共形相控阵天线在审
申请号: | 201911109549.3 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN110808480A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 李艺萍 | 申请(专利权)人: | 西安天安电子科技有限公司 |
主分类号: | H01Q21/29 | 分类号: | H01Q21/29;H01Q13/10;H01Q3/34;H01Q3/28;H01Q1/52;H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q1/28 |
代理公司: | 西安泛想力专利代理事务所(普通合伙) 61260 | 代理人: | 石琳丹 |
地址: | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机身 形相 天线 | ||
1.一种机身共形相控阵天线,其特征在于:包括天线基体和设置于天线基体的多个天线阵列单元,所述天线基体包括金属化层和介质层,所述金属化层包括上金属化层和下金属化层,所述介质层位于所述上金属化层和所述下金属化层之间,所述天线阵列单元包括馈电点、辐射缝隙、波导侧壁金属化通孔和幅相调配金属化通孔,所述馈电点设置于所述金属化层,所述辐射缝隙开设于所述金属化层,所述波导侧壁金属化通孔贯穿所述上金属化层和所述下金属化层,所述波导侧壁金属化通孔围设在所述辐射缝隙四周,所述幅相调配金属化通孔位于所述波导侧壁金属化通孔和所述辐射缝隙之间并贯穿所述上金属化层和所述下金属化层,所述波导侧壁金属化通孔和所述幅相调配金属化通孔用于调节所述辐射缝隙的电参数。
2.如权利要求1所述的机身共形相控阵天线,其特征在于:所述波导侧壁金属化通孔用于调整所述辐射缝隙的辐射相位,所述幅相调配金属化通孔用于调节所述辐射缝隙的辐射幅度和相位。
3.如权利要求2所述的机身共形相控阵天线,其特征在于:所述单个天线阵列单元包含多个辐射缝隙,所述波导侧壁金属化通孔围设在所述多个辐射缝隙四周,位于多个所述辐射缝隙一侧的为第一波导侧壁金属化通孔,位于多个所述辐射缝隙另一侧的为第二波导侧壁金属化通孔。
4.如权利要求3所述的机身共形相控阵天线,其特征在于:所述波导侧壁金属化通孔调整所述辐射缝隙的辐射相位的方法包括,通过调节相对的第一波导侧壁金属化通孔和所述第二波导侧壁金属化通孔之间的间距来调整所述辐射缝隙的辐射相位。
5.如权利要求2所述的机身共形相控阵天线,其特征在于:所述幅相调配金属化通孔调节所述辐射缝隙的辐射幅度和相位的方法包括,通过调节所述幅相金属化通孔在所述波导侧壁金属化通孔与所述辐射缝隙间的具体位置点来调整所述辐射缝隙的辐射幅度和相位。
6.如权利要求1所述的机身共形相控阵天线,其特征在于:所述天线基体一侧的中间部位向内凹陷形成凹槽。
7.如权利要求1所述的机身共形相控阵天线,其特征在于:所述机身共形相控阵天线还包括去耦结构,所述去耦结构设置于相邻两个所述天线阵列单元之间,所述去耦结构用于减少相邻两个所述天线阵列单元之间的耦合。
8.如权利要求7所述的机身共形相控阵天线,其特征在于:所述去耦结构包含多个局部开口回字形结构,所述局部开口回字形结构包括外开口正方形外框结构和内开口正方形内框结构,所述外开口正方形外框结构和所述内开口正方形内框结构的开口大小可根据所述机身相控阵天线的谐振频率进行调节。
9.如权利要求1所述的机身共形相控阵天线,其特征在于:所述机身共形相控阵天线的厚度为0.8~1.2mm。
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