[发明专利]湿刻装置及基板湿刻方法

权利要求书

1.一种湿刻装置，其特征在于，包括：

刻蚀腔；

刻蚀液，容纳于所述刻蚀腔内；

腔内传送构件，设置于所述刻蚀腔内；

在第一刻蚀状态下，所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔入口部分的水平高度，大于所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔出口部分的水平高度；在第二刻蚀状态下，所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔入口部分的水平高度，小于所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔出口部分的水平高度。

2.如权利要求1所述的湿刻装置，其特征在于，在所述第一刻蚀状态或所述第二刻蚀状态下，所述腔内传送构件所在的平面与水平面所成的夹角为锐角，所述锐角的大小为5°～30°。

3.如权利要求1所述的湿刻装置，其特征在于，所述腔内传送构件为传送带构件、传送轴构件、传送滚轮构件中的任意一种。

4.如权利要求3所述的湿刻装置，其特征在于，所述传送带构件包括传送带以及位于所述传送带两端，驱动所述传送带的转动轴，靠近所述刻蚀腔出口处的所述转动轴为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。

5.如权利要求4所述的湿刻装置，其特征在于，靠近所述刻蚀腔入口处的所述转动轴为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。

6.如权利要求3所述的湿刻装置，其特征在于，所述传送轴构件包括传送轴，所述传送轴均为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。

7.如权利要求3所述的湿刻装置，其特征在于，所述传送轴构件包括传送轴，存在至少一个所述传送轴为固定设置，且存在至少一个所述传送轴为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。

8.一种基板的湿刻方法，其特征在于，所述湿刻方法采用如权利要求1至7任一所述的湿刻装置进行，包括：

在刻蚀腔内循环注入刻蚀液；

将待刻蚀基板传送至所述刻蚀腔内，所述基板上设置有待刻蚀膜层的一侧竖直朝上；

通过腔内传送构件，将所述基板在所述刻蚀腔内传送，让所述刻蚀液对所述待刻蚀膜层进行刻蚀；在第一刻蚀状态下，所述基板靠近所述刻蚀腔入口部分的水平高度大于所述基板靠近所述刻蚀腔出口部分的水平高度，在第二刻蚀状态下，所述基板靠近所述刻蚀腔入口部分的水平高度小于所述基板靠近所述刻蚀腔出口部分的水平高度；

将刻蚀后的所述基板传送出所述刻蚀腔。