[发明专利]一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3 有效
| 申请号： | 201911110962.1 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110697794B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陶凯;李伟伟;韩磊 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;C01G51/00;C01B21/082;H01G11/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 中空 纳米 结构 硫化 base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
取7g三聚氰胺置于管式炉中在氮气氛围下以10℃·min-1的升温速率升至600℃煅烧2h，得到g-C3N4；取10mg g-C3N4于40ml水中超声处理1h，加入1.31g C4H6N2继续超声处理1h，取0.58g Co(NO3)2·6H2O溶解于40ml水中；将上述两种溶液混合，在450rpm的搅拌速度下，搅拌5min，在25℃下静置4h，然后在7000rpm转速下离心4min，分别用去离子水和无水乙醇离心洗涤三次，得到的产物于60℃的干燥箱中干燥24h，得到复合电极材料的前驱体；
将上述步骤中得到的前驱体加入到含有3g/L硫代乙酰胺的乙醇溶液中，反应溶液加入聚四氟乙烯反应釜内衬中，于120℃烘箱中反应4h，在7000rpm转速下离心4min，分别用水和乙醇洗涤三次，然后置于65℃的真空干燥箱中干燥12h，得到二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料。
2.根据权利要求1所述制备方法制备的二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料。
3.根据权利要求2所述的二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料的用途，其特征在于，作为复合电极材料应用于超级电容器。
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