[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201911111276.6 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN110808340B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 徐攀 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/824 | 分类号: | H10K50/824;H10K59/131;H10K71/00 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李浩;王莉莉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本公开提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置。该显示基板包括:背板;在背板一侧的晶体管层;在晶体管层的远离背板一侧的第一平坦化层;在第一平坦化层的远离晶体管层一侧的辅助阴极层;在辅助阴极层的远离第一平坦化层一侧的第二平坦化层;以及在第二平坦化层的远离辅助阴极层一侧的发光元件层。发光元件层包括主阴极层。主阴极层与辅助阴极层电连接。在本公开中,辅助阴极层被设置在背板一侧,可以减小在制造过程中对发光元件的损伤。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)技术的成熟,目前越来越多的客户和研发公司追求高性能的OLED显示面板,比如高PPI(Pixels Per Inch,每英寸像素数,也即像素密度)的显示面板。顶发射技术是实现高PPI显示的有效手段之一。对于顶发射技术,需要透明阴极和反射阳极的开发。而目前透明阴极使用比较广泛的是IZO(Indium Zinc Oxide,氧化铟锌),其透过率高。但是,IZO的电阻率比较大,若将其使用在中大尺寸的显示面板中,则IZO阴极的阻抗比较大。由于IZO阴极的阻抗较大,其阴极上的压降(或者叫做电压抬升Vss IR Rise)比较大,导致显示面板的显示效果较差。因此,对于中大尺寸的顶发射技术的显示面板,可以设置电阻率较小的金属层作为阴极的辅助线,以降低阴极上的阻抗。这种技术叫做辅助阴极开发技术。
在已知的辅助阴极设计中,大尺寸显示面板的辅助阴极被设置在上盖板上。通过贴合方式,将辅助阴极与透明阴极搭接,实现降低阴极阻抗的目的。
发明内容
本公开的发明人发现,上述已知技术需要在盖板侧制作辅助阴极,然后将辅助阴极与透明阴极搭接,这种搭接的方式对发光器件容易造成比较大的损伤。
鉴于此,本公开的实施例提供了一种显示基板,减小对发光元件的损伤。
根据本公开实施例的一个方面,提供了一种显示基板,包括:背板;在所述背板一侧的晶体管层;在所述晶体管层的远离所述背板一侧的第一平坦化层;在所述第一平坦化层的远离所述晶体管层一侧的辅助阴极层;在所述辅助阴极层的远离所述第一平坦化层一侧的第二平坦化层;以及在所述第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧的发光元件层,所述发光元件层包括主阴极层,所述主阴极层与所述辅助阴极层电连接。
在一些实施例中,所述第一平坦化层的材料和所述第二平坦化层的材料分别为有机绝缘材料。
在一些实施例中,所述第一平坦化层的厚度范围为0.5微米至5微米;所述第二平坦化层的厚度范围为0.5微米至5微米。
在一些实施例中,所述发光元件层还包括:用于定义像素发光开口的像素界定层;在所述第二平坦化层的远离所述辅助阴极层一侧的阳极层,其中,所述阳极层与所述晶体管层电连接;以及在所述阳极层的远离所述第二平坦化层一侧的发光功能层,其中,所述发光功能层在所述像素发光开口中;其中,所述主阴极层在所述发光功能层的远离所述阳极层的一侧。
在一些实施例中,所述显示基板还包括:与所述阳极层处于同一层且与所述阳极层隔离开的导电层;所述主阴极层通过穿过所述像素界定层的第一过孔与所述导电层电连接,所述导电层通过穿过所述第二平坦化层的第二过孔与所述辅助阴极层电连接。
在一些实施例中,所述第一过孔在所述背板上的正投影与所述第二过孔在所述背板上的正投影不重叠。
在一些实施例中,所述第一过孔在所述背板上的正投影与所述第二过孔在所述背板上的正投影至少部分重叠。
在一些实施例中,所述辅助阴极层呈网格形状。
在一些实施例中,所述显示基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区;其中,所述辅助阴极层设置在所述显示区中。
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